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激光測(cè)距探測(cè)器（InGaAs APD）
激光測(cè)距探測(cè)器（InGaAs APD）包含脈沖探測(cè)器及處理電路，具有超高水平。與PIN光電二極管相比，此款探測(cè)器對(duì)激光脈沖能量的要求降低了20倍，與其他普通AP...

型號(hào)： RUC1-X 所在地：西安市參考價(jià)： ￥12更新時(shí)間：2020/4/21 15:51:16 對(duì)比

銦鎵砷APDAPD探測(cè)器近紅外探測(cè)器近紅外APD探測(cè)器
固體脈沖激光器
高峰值功率固體脈沖激光器，特點(diǎn)為人眼安全波長，高峰值功率，短脈沖持續(xù)時(shí)間和高衍射波束質(zhì)量，尺寸小，重量輕。

型號(hào)： LAK0-X 所在地：西安市參考價(jià)： ￥16更新時(shí)間：2020/4/21 15:39:37 對(duì)比

激光器人眼安全激光器脈沖激光器
美國AGI PbS硫化鉛探測(cè)器
美國AGI PbS硫化鉛探測(cè)器的工作波長在1.0-3.0微米。在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長波濾光片和帶通濾光片）、前置...

型號(hào)： LD-PbS 所在地：西安市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2020/4/20 17:59:35 對(duì)比

1-3微米探測(cè)器硫化鉛探測(cè)器PbS探測(cè)器短波探測(cè)器
美國EOS Si探測(cè)器（0.2-1.1um）
硅光電探測(cè)器是光電器件重要的的組成部分，是可見光和近紅外波段主要的探測(cè)器。硅的探測(cè)器的工作波長在0.3-1.0微米。在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有...

型號(hào)： LD-S/UVS系... 所在地：西安市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2019/12/4 16:27:38 對(duì)比

可見光硅探測(cè)器EOS Si探測(cè)器Si探測(cè)器
德國IFW碳化硅紫外探測(cè)器
紫外探測(cè)器件對(duì)可見光和紅外光光譜區(qū)域也沒有響應(yīng)，這也就有效避免了其他光源干擾。相比較于光電倍增管和采用硅材料制備的增強(qiáng)型紫外探測(cè)器，SiC材料具有其*的電學(xué)特性...

型號(hào)： LD-JIC系列所在地：西安市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2019/12/4 15:10:45 對(duì)比

紫外探測(cè)器碳化硅探測(cè)器IFW探測(cè)器碳化硅紫外探測(cè)器
vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um）
vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um）波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，分制冷...

型號(hào)： PEM-n 所在地：西安市參考價(jià)： ￥10000更新時(shí)間：2016/8/25 10:45:37 對(duì)比

碲鎘汞光電磁探測(cè)器vigoHgCdTe
vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um）
vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um）波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，分制...

型號(hào)： PV-n 所在地：西安市參考價(jià)： ￥10000更新時(shí)間：2016/8/25 10:39:43 對(duì)比

碲鎘汞室溫光電探測(cè)器vigoHgCdTe
vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um）
vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um），波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，...

型號(hào)： PV-2TE-13 所在地：西安市參考價(jià)： ￥10000更新時(shí)間：2016/8/25 10:34:13 對(duì)比

碲鎘汞光電探測(cè)器制冷型vigoHgCdTe
美國infrared液氮制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（1um-26um）
美國infrared液氮制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（1um-26um）InfraRed 公司成立于1976年,自成立起一直提供 HgCdTe和 and ...

型號(hào)： MCT-1.0 所在地：西安市參考價(jià)： ￥10000更新時(shí)間：2016/8/25 10:26:06 對(duì)比

碲鎘汞光電探測(cè)器美國infraredHgCdTe液氮制冷
美國infrared銻化銦光電探測(cè)器（1um-5.5um）
InfraRed 公司成立于1976年,自成立起一直提供 HgCdTe和 and InSb紅外探測(cè)器.公司成立時(shí)總部位于新澤西,美國infrared銻化銦光電探...

型號(hào)： LD-IS-010 所在地：西安市參考價(jià)： ￥5000更新時(shí)間：2016/8/25 10:02:26 對(duì)比

銻化銦光電探測(cè)器紅外美國infraredInSb
美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）
美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）:簡介：在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長波濾光片和帶通濾光片）...

型號(hào)： LD-IS-010 所在地：西安市參考價(jià)： ￥1500更新時(shí)間：2016/8/25 9:49:21 對(duì)比

砷化銦光電探測(cè)器美國EOSInAs探測(cè)器1.0um-3.8um
美國GPD銦鎵砷InGaAs光電探測(cè)器（0.5um-2.6um）
GPD公司介紹美國GPD銦鎵砷InGaAs光電探測(cè)器（0.5um-2.6um），GPD成立于1973年，主要提供，鍺P-N、P-I-N、APD以及銦鎵砷高速P-...

型號(hào)： LD-GAP100... 所在地：西安市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2016/8/25 9:42:03 對(duì)比

銦鎵砷光電探測(cè)器美國InGaAs
美國GPD鍺Ge光電探測(cè)器（0.5um-1.8um）
美國GPD鍺Ge光電探測(cè)器（0.5um-1.8um）GPD公司介紹GPD成立于1973年，主要提供，鍺P-N、P-I-N、APD以及銦鎵砷高速P-I-N管、大面...

型號(hào)： LD-GM 所在地：西安市參考價(jià)： ￥600更新時(shí)間：2016/8/25 9:35:52 對(duì)比

鍺探測(cè)器鍺紅外探測(cè)器美國GPDGe
美國EOS硅si光電探測(cè)器
自1983年成立以來，美國EOS公司已發(fā)展成為一個(gè)獨(dú)立的原始設(shè)備制造商。其主要的產(chǎn)品有探測(cè)器/光電元件，探測(cè)器組件，以及自訂儀器，涵蓋完整的紫外/可見---40...

型號(hào)： S-010 所在地：西安市參考價(jià)： ￥500更新時(shí)間：2016/8/25 9:19:44 對(duì)比

硅光電探測(cè)器美國EOS可見光室溫
紫外碳化硅SiC光電探測(cè)器（190nm-400nm）
IFW成立于1981年，是專業(yè)生產(chǎn)SIC紫外探測(cè)器的一家公司，擁有20多年的歷史。產(chǎn)品種類，多達(dá)100多種，相對(duì)于Si，金剛石薄膜，TiO2，鉆石等紫外探測(cè)器，...

型號(hào)： JEA系列所在地：西安市參考價(jià)： ￥200更新時(shí)間：2016/8/24 17:27:45 對(duì)比

IFW紫外探測(cè)器碳化硅SiC

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