1500單溫區(qū)φ50真空管式爐 參考價(jià)：面議
該管式爐可以用于抽真空和通氣氛，所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐還叫CVD管式爐和實(shí)驗(yàn)管式爐，廣泛用于各種反應(yīng)溫度較高的CVD實(shí)驗(yàn)、真空燒結(jié)、納米材料制備、電池材...
管式氫氣爐 參考價(jià)：面議
該管式氫氣爐可以用于抽真空和通氣氛，所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐。管式氫氣爐爐管材質(zhì)采用無(wú)縫鎳基合金，爐管可用于所有惰性氣體和氧氣到30 PSI（磅力/平方英...
雙溫區(qū)管式爐 參考價(jià)：面議
雙溫區(qū)管式爐設(shè)備由雙溫區(qū)管式爐、溫控蒸發(fā)器、濕度監(jiān)測(cè)器三部分組成。溫控蒸發(fā)器和濕度監(jiān)測(cè)器的組合可以持續(xù)產(chǎn)生符合試驗(yàn)配比要求的水蒸氣，即通過(guò)觀察濕度監(jiān)測(cè)器的示數(shù)，...
1200℃管式爐 參考價(jià)：面議
1200℃管式爐采用高質(zhì)量電爐絲作為加熱元件，zui高加熱溫度為1200℃，石英爐管管徑為50mm。若客戶(hù)有需要，可聯(lián)系技術(shù)人員定制更大管徑的爐管。1200℃管...
三溫區(qū)管式爐 參考價(jià)：面議
三溫區(qū)管式爐采用高質(zhì)量電爐絲作為加熱元件，加熱溫度可達(dá)1200℃，石英爐管管徑為50mm。若客戶(hù)有需要，可聯(lián)系技術(shù)人員定制更大管徑的爐管。本三溫區(qū)管式爐為三溫區(qū)...
雙溫區(qū)管式爐 參考價(jià)：面議
雙溫區(qū)管式爐采用高質(zhì)量電爐絲作為加熱元件，加熱溫度可達(dá)1200℃，石英爐管管徑為50mm。若客戶(hù)有需要，可聯(lián)系技術(shù)人員定制更大管徑的爐管。雙溫區(qū)管式爐為雙溫區(qū)加...
滑道管式爐 參考價(jià)：面議
該滑道管式爐由爐體和軌道支架部分組成，同時(shí)可搭配進(jìn)氣系統(tǒng)和真空裝置組成CVD系統(tǒng)?；拦苁綘t默認(rèn)為600mm長(zhǎng)的單溫區(qū)設(shè)計(jì)，可以形成較長(zhǎng)的恒溫區(qū)域，也可定制為雙...
1200 °C高真空鎳基合金三溫區(qū)管式爐 參考價(jià)：面議
三溫區(qū)管式爐采用鎳基合金作為加熱元件，加熱溫度可達(dá)1200℃，石英爐管管徑為100mm。若客戶(hù)有需要，可聯(lián)系技術(shù)人員定制更大管徑的爐管。本三溫區(qū)管式爐為三溫區(qū)加...
帶磁力推桿雙溫區(qū)管式爐 參考價(jià)：面議
本雙溫區(qū)管式爐，配有磁力推桿，結(jié)構(gòu)精巧可靠性高，可在保持爐管真空密閉的情況下對(duì)管內(nèi)樣品進(jìn)行位移操作。配合雙溫區(qū)分別控溫，可以實(shí)現(xiàn)用戶(hù)的多種熱處理工藝，是材料研究...
三溫區(qū)管式爐 參考價(jià)：面議
三溫區(qū)管式爐，爐膛*高溫度可達(dá)1200℃，采用進(jìn)口電阻絲加熱，溫場(chǎng)均勻控溫**。爐管采用316不銹鋼制成，兩側(cè)使用定制法蘭配合水冷組件，可滿(mǎn)足客戶(hù)向管內(nèi)通入液體...
感應(yīng)熱重分析爐 參考價(jià)：面議
這是一個(gè)具有TGA熱重分析)功能的立式管式爐,*高溫度從1200°C到1600°C(可定制)。與傳統(tǒng)的TGA裝置相比,可裝載100 g以上的樣品,為工業(yè)生產(chǎn)提供...
1200℃10L高溫惰性箱式氣氛爐 參考價(jià)：面議
氣氛馬弗爐設(shè)計(jì)用于可控惰性氣體氣氛下的材料合成，*高溫度可達(dá)1200℃，溫度均勻性更好。采用上等氧化鋁纖維磚和進(jìn)口電阻絲加熱元件，尺寸為200*200*200m...
1200℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
1200℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控溫儀表進(jìn)行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同時(shí)...
1200℃單溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
1200℃單溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng)由單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和高真空分子泵租組成。管式爐由精密控溫儀表進(jìn)行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同時(shí)...
PECVD鍍膜儀 參考價(jià)：面議
CY-PECVD-450化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過(guò)程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用于在光學(xué)玻璃、硅...
單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD石墨烯制備系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD，安裝有真空自動(dòng)投料器，爐管尾部預(yù)留KF40接口可以連接收料罐。投料器采用螺桿進(jìn)料，可以以額定的速率將粉料送入爐管，投料速率可通過(guò)調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速來(lái)...
卷對(duì)卷式PECVD 參考價(jià)：面議
卷對(duì)卷式PECVD是等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），并加裝了收放卷裝置。本設(shè)備可用于線(xiàn)材的連續(xù)化熱處理工藝中，如碳纖維制備、合金及其他材料線(xiàn)材改性處...
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的...
等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
CY-PECVD50R-1200-Q是一款等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。此系統(tǒng)由150W射頻電源、單溫區(qū)管式爐、3通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)、性能優(yōu)異的真空泵組成。
桌面型二合一鍍膜儀 參考價(jià)：面議
本產(chǎn)品為二合一鍍膜儀，可用于電子產(chǎn)品、玻璃、陶瓷樣品、金屬等樣品的鍍膜。尤其適合實(shí)驗(yàn)室SEM（掃描電鏡）的樣品制備
1200℃雙溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
1200℃雙溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐兩個(gè)溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨(dú)立控溫，通過(guò)調(diào)節(jié)各個(gè)溫區(qū)的溫度...
1200℃三溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
1200℃三溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由三溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐三個(gè)溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨(dú)立控溫，通過(guò)調(diào)節(jié)各個(gè)溫區(qū)的溫度...
1200℃雙溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
1200℃雙溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐和三路浮子流量計(jì)組成。管式爐兩個(gè)溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨(dú)立控溫，通過(guò)調(diào)節(jié)各個(gè)溫區(qū)的溫度，該管式爐可以在...
微波燒結(jié)爐 參考價(jià)：面議
該微波燒結(jié)爐可實(shí)現(xiàn)快速燒結(jié)，比傳統(tǒng)燒結(jié)大約要節(jié)省2/3的時(shí)間。該微波燒結(jié)爐是義齒加工****的理想產(chǎn)品。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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