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深圳市秋山貿(mào)易有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 抹茶生產(chǎn)線,粉碎研磨珠,口紅硬度計(jì) |
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13823147203
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- 聯(lián)系人：
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- 深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002
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非接觸型（雙面探頭型）和非破壞型（單面探頭型）
2020-11-23 閱讀(1011)
如上所述，在非接觸型中，通過(guò)將樣品插入上下配對(duì)的探針之間的間隙中來(lái)執(zhí)行測(cè)量。
因此，探針單元的形狀不可避免地限制了樣品的厚度和相應(yīng)的尺寸。
- 樣品厚度限制：探針之間的間隙通常為2 mm。
- 樣品支架尺寸限制：由于U形單元的形狀，深度受到限制。
因此，為了處理大樣本和厚樣本，我們通過(guò)應(yīng)用渦流技術(shù)開(kāi)發(fā)并制造了一種單面手持式探頭。
如左圖所示，只需垂直于樣品表面觸摸探頭即可進(jìn)行測(cè)量。
日本napson手持式探針無(wú)損渦流法電阻測(cè)量?jī)x
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
日本napson手持式探針無(wú)損渦流法電阻測(cè)量?jī)x
