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技術(shù)文章

亥姆霍茲線圈磁場測量

閱讀:142          發(fā)布時間:2025-6-4
  • 實驗項目:
    1.模擬法測繪靜電場;
    2.亥姆霍茲線圈磁場測量;
    3.線圈的磁場描繪;
    規(guī)格參數(shù):
    采用導(dǎo)阻微晶
    雙層結(jié)構(gòu):200*90mm;
    描繪平臺:200*200*4mm電極板可自由更換;
    激光描點:激光電源功率2mw,波長625nm,工時大于2萬小時;
    鍍金彈性探頭,接觸電阻小;
    鍍金電極;
    電阻微晶介質(zhì):125*125*0.2mm;
    電極板基材:200*150*3mm;
    電壓輸出:DC 0-12V連續(xù)可調(diào),數(shù)顯精度0.01V,短路保護;
    電極板:同軸電纜、平行板電容;
    坐標(biāo)平臺:270*270mm;
    亥姆霍茲線圈:R=85×10-3m,a=85×10-3m,N=230匝;
    恒流源:0-500mA;
    霍耳集成電路磁場強度探測器:靈敏度K=12.0mV/mT;
    數(shù)顯感應(yīng)電動勢測量:0-19.99mv;
    電壓測量:0-19.99V、0-199.9mV三位半數(shù)顯;


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