EBIC (Electron Beam Induced Current)，電子束誘導(dǎo)的電流。
EBIC原理
EBIC圖像是通過(guò)測(cè)量穿過(guò)半導(dǎo)體氧化物（Oxide）和金屬（Metal）層進(jìn)入pn結(jié)的電子流而產(chǎn)生的。電子束（Electron Beam）與半導(dǎo)體PN結(jié)區(qū)的作用產(chǎn)生的電子空穴對(duì)（electron hole pairs）在擴(kuò)散電壓（diffusion voltage）的作用下分離。EBIC電流信號(hào)通過(guò)鎢探針連接到EBIC放大器上，并將EBIC電流信號(hào)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。當(dāng)用電子束掃描樣品時(shí)，即可通過(guò)SEM獲得樣品的電流像。
(1) 電子束在半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生電子-空穴對(duì)
(2) 電子和空穴在耗盡區(qū)的內(nèi)部電場(chǎng)中分離產(chǎn)生 EBIC 電流
(3) EBIC電流信號(hào)作為 SEM 成像系統(tǒng)的輸入信號(hào)
(4) 可對(duì)耗盡區(qū)（Depletion zone）和電氣缺陷表征
EBIC圖像解讀
在EBIC圖像中，“明/暗"區(qū)域代表PN結(jié)中n阱和P阱?；疑珔^(qū)域表示沒(méi)有記錄到電流的區(qū)域。通過(guò)與二次電子像的疊加，可以SEM相中看到PN結(jié)（耗盡區(qū)，Depletion zone）的位置。
EBIC結(jié)果
EBIC結(jié)果可以用于定位并觀察PN結(jié)和非破壞性電氣缺陷表征。
圖示例：EBIC in 10 nm Exynos
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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