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涂層光學(xué)晶片的自動分光光度空間分析-Cary 7000全能型分光光度計(jì)
閱讀:1060 發(fā)布時(shí)間:2021-1-20前言 :頻繁且經(jīng)濟(jì)有效的光譜表征對于開發(fā)具有競爭力的光學(xué)薄膜涂層非常 重要。*自動化且無人值守的光譜測量有助于降低每次分析的成 本、提高分析效率,還有助于擴(kuò)展質(zhì)保程序。在生產(chǎn)過程中,滿負(fù)荷 運(yùn)轉(zhuǎn)的沉積室中常會涂覆大面積、通常呈圓形的襯底晶片。高效的光 學(xué)表征工具必須能夠在晶片被切割之前從用戶晶片表面的特征 點(diǎn)獲得準(zhǔn)確且有意義的信息。
專為 Cary 7000 全能型分光光度計(jì) (UMS) 和全能型 測量附件包 (UMA) 設(shè)計(jì)的安捷倫固體自動進(jìn)樣器可 容納直徑達(dá) 200 mm (8") 的樣品,并提供 UV-Vis 和 NIR 光譜范圍內(nèi)的角度反射率和透射率數(shù)據(jù)。 此前的研究已經(jīng)證明,將 Cary 7000 UMS 與自動 進(jìn)樣器相結(jié)合,能夠?qū)?32x 樣品支架上的多個樣品 進(jìn)行自動化、無人值守的分析 [1],并對氧化鋅錫 (ZTO) 涂層的線性能帶隙梯度進(jìn)行空間測繪 [2]。本 研究使用配備自動進(jìn)樣器的 Cary 7000 UMS 對直 徑 200 mm 晶片上的涂層均勻性進(jìn)行了自動化的角 度分辨測繪。
儀器與樣品: Cary 7000 UMS UV-Vis/NIR 分光光度計(jì)(圖 1)專 為 250 nm 至 2500 nm 波長范圍內(nèi)的多角度光度 光譜 (MPS) 測量而設(shè)計(jì)。在 MPS 應(yīng)用中,我們需 要測量樣品在較寬入射角范圍內(nèi)(從接近垂直到 傾斜入射角)的反射率和/或透射率 [3]。近 有研究證明,MPS 數(shù)據(jù)對于復(fù)雜薄膜的逆向工程 [4]、深入了解電介質(zhì)薄膜中總損耗的振蕩 [5],以 及改進(jìn)涂層生產(chǎn)步驟中應(yīng)用的逆向工程策略 [6] 很 有幫助。 UMA 采用簡單且通用的設(shè)計(jì),能夠?qū)悠泛蜋z測 器相互獨(dú)立地定位為任意角度,而無需操作人員干 預(yù)。在單個序列中,UMA 在 5°≤ |θi | ≤ 85° 范圍內(nèi) (即,垂直光束兩側(cè)的角度被標(biāo)記為 +/-)以不同的 入射角 (θi ) 從樣品表面*相同的斑點(diǎn)處同時(shí)采集 透射率和反射率數(shù)據(jù)。由于配備了基于納米線柵技 術(shù)的自動偏光片,UMA 能夠以 S、P 或用戶任何偏振角獲得準(zhǔn)確的測量結(jié)果。 Cary 7000 UMS 的核心組件 Cary 全能型測量附件 包 (UMA) 可單獨(dú)購買,用戶可通過更換此附件包 升級現(xiàn)有的 Cary 系列 UV-Vis-NIR 分光光度計(jì)(包 括 4000、5000 和 6000i)。
自動進(jìn)樣器 安捷倫固體自動進(jìn)樣器是一款可獨(dú)立控制的樣品支 架,專為配合 UMA 使用而設(shè)計(jì)。該自動進(jìn)樣器安裝 在 UMA 的大樣品室內(nèi),位于樣品臺旋轉(zhuǎn)軸上方。得 益于這種設(shè)計(jì),自動進(jìn)樣器不會限制 UMA 的基本 功能。事實(shí)上,該設(shè)計(jì)為樣品定位增加了 2 個自由 度,進(jìn)一步提升了測量性能。如圖 2 所示,這些額 外的自由度是指圍繞入射光束軸 (Io) 的徑向方向 (z) 和旋轉(zhuǎn)方向 (Φ)。分析人員可根據(jù)不同的樣品類型 選擇多種樣品支架,用于安放多個單獨(dú)的樣品( 多安放 32 個直徑 1 英寸的樣品)或單個大直徑樣 品(大直徑 200 mm,8 英寸)。這讓安捷倫固體 自動進(jìn)樣器成為了升級 Cary 7000 UMS 的理想之 選,儀器升級后可對大批量(批次)光學(xué)元件進(jìn)行 光學(xué)表征,還能對體積更大的單個樣品進(jìn)行空間測 繪,實(shí)際分辨率極限可低至 2 mm × 2 mm。
結(jié)論 :在本研究中,我們使用 Agilent Cary 7000分光光度計(jì)UMS 和 固體自動進(jìn)樣器成功分析了直徑 200 mm 的預(yù)切割 晶片的涂層均勻性。該系統(tǒng)被設(shè)置為按照用戶自定 義的測繪特征在以 1064 nm 為中心的波長下對晶 片表面進(jìn)行 %R 測量。所得的曲線表明晶片中心到 邊緣的涂層質(zhì)量有所下降。該信息可用于找出并克 服涂層工藝中潛在的變異性。