日聯(lián)科技經(jīng)過(guò)十年發(fā)展，日聯(lián)科技已在無(wú)錫國(guó)家高新區(qū)自建4萬(wàn)余平米的現(xiàn)代化工廠(chǎng)和研發(fā)制造中心，并在深圳、重慶兩地建有全資子公司（工廠(chǎng)），在北京、沈陽(yáng)、天津、西安、鄭州、成都、武漢、青島、寧波、廣州、柳州、廈門(mén)、昆明、烏魯木齊等地設(shè)有辦事處。公司與美洲（美國(guó)、墨西哥、巴西、阿根廷）、歐洲（英國(guó)、德國(guó)、意大利、俄羅斯）、亞洲（東南亞、日韓、中東、土耳其）、澳大利亞、南非等全球多地代理商和分銷(xiāo)商合作，建立了銷(xiāo)售和服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)。產(chǎn)品已出口到40余個(gè)國(guó)家及地區(qū)。

倒裝芯片的英文名稱(chēng)稱(chēng)為Flip Chip，它用于將芯片的觸點(diǎn)與基板，載體和電路板連接起來(lái)。在連接過(guò)程中，由于芯片的凸塊向下連接，因此稱(chēng)為倒裝芯片。

在典型的倒裝芯片封裝中，芯片通過(guò)3-5厚的焊料凸點(diǎn)連接到芯片載體。底部填充材料用于保護(hù)焊料凸點(diǎn)。芯片Chip和PCB板通過(guò)倒裝技術(shù)連接在一起。

在日常生活中，許多電子組件都使用倒裝芯片焊接技術(shù)，例如計(jì)算機(jī)中的存儲(chǔ)棒，這很常見(jiàn)。如果從橫截面切開(kāi)內(nèi)存條，則芯片和電路板通過(guò)倒裝芯片技術(shù)連接。

倒裝芯片主要通過(guò)四個(gè)步驟完成：

步驟1：凸點(diǎn)底部金屬化（UBM）

凸塊金屬化是為了激發(fā)半導(dǎo)體中PN結(jié)的性能。其中，適合熱壓倒裝芯片連接的凸點(diǎn)材料是金?？梢酝ㄟ^(guò)傳統(tǒng)的電解金電鍍方法或柱形凸塊方法來(lái)產(chǎn)生凸塊。后者是引線(xiàn)鍵合技術(shù)中常用的凸點(diǎn)形成工藝。

凸點(diǎn)底部金屬化（UBM）的沉積方法主要包括：

濺射：使用濺射在硅晶片上逐層沉積薄膜，然后通過(guò)光刻形成UBM圖案，然后蝕刻非圖案的部分。

蒸鍍：使用掩模，通過(guò)蒸發(fā)在硅晶片上逐層沉積。該選擇性沉積掩?？捎糜谛纬上鄳?yīng)的凸塊。

化學(xué)鍍：化學(xué)鍍用于選擇性地將Ni鍍?cè)贏(yíng)l焊盤(pán)上。鋅酸鹽工藝通常用于處理Al表面。無(wú)需真空和圖案蝕刻設(shè)備，成本低廉。

步驟2：芯片凸點(diǎn)

該部分將形成凸點(diǎn)，可以將其視為P-N結(jié)的電極，類(lèi)似于處理電池的輸出端子。

形成凸點(diǎn)的常見(jiàn)方法：蒸發(fā)的焊料塊、電鍍錫球、印刷凸點(diǎn)、釘頭焊錫凸塊、放球凸點(diǎn)、焊錫轉(zhuǎn)移凸點(diǎn)

觀(guān)察典型的電鍍焊料凸點(diǎn)：在掃描電子顯微鏡下觀(guān)察完成的凸點(diǎn)微觀(guān)形狀是均勻的金屬球。

步驟3：將凸起的芯片組裝到基板/板上

在熱壓連接過(guò)程中，芯片的凸塊通過(guò)加熱和加壓而連接到基板的焊盤(pán)。

此過(guò)程要求芯片或基板上的凸塊是金凸塊，并且同時(shí)必須有一個(gè)可以連接到凸塊的表面，例如金或鋁。對(duì)于金塊，連接溫度通常約為300°C，以便在連接過(guò)程中充分軟化材料并促進(jìn)擴(kuò)散。