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雙電測(cè)四探針測(cè)試儀.
閱讀：1174 發(fā)布時(shí)間：2020-9-30雙電測(cè)四探針測(cè)試儀/四探針測(cè)試儀/四探針檢測(cè)儀 型號(hào)：GSZ-RTS-9
采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱(chēng)雙位組合)測(cè)量新技術(shù),將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線(xiàn)四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。所有這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測(cè)量方法所生產(chǎn)的儀器是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。
是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶(hù)程序。測(cè)試程序在計(jì)算機(jī)與RTS-9型四探針測(cè)試儀連接的狀態(tài)下，通過(guò)計(jì)算機(jī)的并口實(shí)現(xiàn)通訊。
測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并實(shí)時(shí)采集兩次組合模式下的測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。用戶(hù)可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶(hù)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析
測(cè)量范圍 | 電阻率：10-4～105 Ω.cm(可擴(kuò)展)； |
可測(cè)晶片厚度 | ≤3mm |
可測(cè)晶片直徑 | 140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))； |
恒流源 | 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) |
數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； |
四探針探頭基本指標(biāo) | 間距：1±0.01mm； |
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) | (見(jiàn)探頭附帶的合格證) |
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 | 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 |
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差 | (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±4% |
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 | ≤4% |
計(jì)算機(jī)通訊接口 | 并口 |
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃； |