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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子/電池 |
|---|---|---|---|
| 最大輸出功率 | 300W，3000V/100mA（不同型號有差異）； | 輸出電壓建立時間 | |
| 輸出接口 | KHV（三同軸），支持四線測量； |
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
產(chǎn)品簡介
功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，p*電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。
2.產(chǎn)品應用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
3.產(chǎn)品特點
高電壓：支持高達3KV高電壓測試；
大電流：支持高達4KA大電流測試；
高精度：支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數(shù)；
配置導出：支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能；
數(shù)據(jù)預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果，亦可一鍵導出；
模塊化設(shè)計：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；
可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)
3.技術(shù)指標
PMST系統(tǒng)配置 | 關(guān)鍵參數(shù) | 備注 |
P系列 | PW高達30V/10A、300V/1A | 柵極特性測試 |
CW高達300V/0.1A、30V/1A | ||
最小脈沖寬度200uS | ||
HCP系列 | PW高達30V/100A | IGBT導通壓降、二極管瞬時前向電壓測試 |
CW高達10V/30A | ||
最小分辨率30uV/10pA | ||
最小脈沖寬度80uS | ||
HCPL系列 | 單臺PW高達12V/1000A，可多臺并聯(lián) | |
最小脈沖寬度50uS | ||
E系列 | CW高達3000V/100mA | IGBT擊穿電壓測試 |
最小分辨率10mV/100pA | ||
測量精度 0.1% | ||
電橋 | 頻率范圍：20Hz~1MHz | IGBT各級間電壓測試 |
HVP系列提供0~400V直流偏置電壓 | ||
預置偏置電阻100kΩ | ||
矩陣開關(guān) | / | 電路切換及源表切換 |
主機 | / | |
測試夾具 | 根據(jù)器件封裝形式定制 |
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