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詳細(xì)摘要：ST-21H型方塊電阻測(cè)試儀是一種依照類(lèi)似的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)，專(zhuān)門(mén)測(cè)量半導(dǎo)體薄層電阻（表面電阻）的新型儀器，可用于測(cè)量一般半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電薄膜（ITO透明氧化膜），金屬薄膜……等同類(lèi)物質(zhì)的薄層電阻。

詳細(xì)摘要：ST-21型方塊電阻測(cè)試儀以大規(guī)模集成電路為主要核心；用基準(zhǔn)電源和運(yùn)算放大器組成高精度穩(wěn)流源；帶回路有效正常指示電路；并配以大型LCD顯示讀數(shù)，使儀器具有體積小、重量輕、外形美、易操作、測(cè)量速度快、精度高的特點(diǎn)。

詳細(xì)摘要：RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專(zhuān)用于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

詳細(xì)摘要：RTS-11型金屬四探針測(cè)試儀
專(zhuān)用于測(cè)試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻
測(cè)量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；
是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備，該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M

詳細(xì)摘要：RTS-9型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合（亦稱(chēng)雙位組合）測(cè)量新技術(shù),將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)

詳細(xì)摘要：RTS-4四探針測(cè)試儀儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。按照單晶硅物

詳細(xì)摘要：PN-12型導(dǎo)電類(lèi)型鑒別儀采用整流法（也稱(chēng)三探針?lè)ǎ┖蜏夭罘ǎㄒ卜Q(chēng)冷熱探筆法來(lái)判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類(lèi)型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導(dǎo)電類(lèi)型。
可判斷硅材料的電阻率范圍
溫差法：10-4Ω·Cm～105Ω&#

詳細(xì)摘要：LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀
是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類(lèi)型硅單晶

詳細(xì)摘要：PN-30型導(dǎo)電類(lèi)型鑒別儀采用整流法（也稱(chēng)三探針?lè)ǎ┖蜏夭罘ǎㄒ卜Q(chēng)冷熱探筆法來(lái)判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類(lèi)型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導(dǎo)電類(lèi)型。
該儀器特別采用工控指示開(kāi)關(guān)，顯示清晰、經(jīng)久耐用；可隨機(jī)調(diào)零；自動(dòng)加熱

詳細(xì)摘要：CV-2000型電容電壓特性測(cè)試儀
作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容）。加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬，勢(shì)壘電容變小。

詳細(xì)摘要：CV-5000型電容電壓特性測(cè)試儀
在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)研制中，MOS電容的C-V測(cè)試是極為重要的工藝過(guò)程監(jiān)控測(cè)試手段，通過(guò)C-V測(cè)試達(dá)到優(yōu)化生產(chǎn)過(guò)程中的工藝參數(shù)，提高IC成品率。

詳細(xì)摘要：GY-7半導(dǎo)體激光器
說(shuō)　　明 :
此半導(dǎo)體激光器可用于幾何光學(xué)、干涉、衍射、偏振等光學(xué)實(shí)驗(yàn)。
波長(zhǎng)：632.8nm 帶寬：0.2nm 輸出功率：5―40mW（可選）

詳細(xì)摘要：GY-6亮度可調(diào)白光光源（溴鎢燈）
說(shuō)明 :
用于物理實(shí)驗(yàn)作為白熾光源，可隨意調(diào)節(jié)亮度，可通過(guò)毛玻璃產(chǎn)生漫射光，結(jié)構(gòu)緊湊，造型美觀。功率6V，15W
天津諾雷信達(dá)科技有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)（供應(yīng)）銷(xiāo)售激光拉曼光譜儀、組合式多功能光柵光譜儀、小型

詳細(xì)摘要：GY-5∕5A低壓鈉燈（20W）
鈉雙線589.0nm、589.6nm光譜線為標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)用于波長(zhǎng)標(biāo)定，也可作為分辨率調(diào)整的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)設(shè)備。當(dāng)研究鈉光譜時(shí)，可提供豐富的鈉譜線。

詳細(xì)摘要：GY-3紅外光源（瓷土棒）
說(shuō)　　明 :
是專(zhuān)用于4000-400cm-1波段的特種光源，有專(zhuān)用電源供電，配有聚光和調(diào)制裝置。與WGD-4型光柵光譜儀組合，可測(cè)定紅外輻射源及物質(zhì)的紅外吸收光譜。

詳細(xì)摘要：GY-2氘燈、溴鎢燈（12V30W）專(zhuān)用電源裝置保證了氘燈和溴鎢燈的穩(wěn)定供電，兩種燈可隨意轉(zhuǎn)換、結(jié)構(gòu)緊湊、聚焦性能好，是紫外-可見(jiàn)-近紅外的理想光源與WGD-3型光柵光譜儀配套。也可單獨(dú)使用，可對(duì)物質(zhì)進(jìn)行吸收光譜熒光光譜分析。

詳細(xì)摘要：GY-1∕1A溴鎢燈（12V30W）
有直流12v穩(wěn)壓電源供電、結(jié)構(gòu)緊湊、光能強(qiáng)、是理想的可見(jiàn)-近紅外光源。與WGD-3、WGD-4型光柵光譜儀配套，也可單獨(dú)使用，可對(duì)物質(zhì)進(jìn)行吸收光譜和熒光光譜分析。

詳細(xì)摘要：GY-8多組放電燈
說(shuō)　　明 :
氦氖氫三種多組放電燈光源，適用于大學(xué)實(shí)驗(yàn)，其光譜可作為標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)用于波長(zhǎng)定標(biāo)。

詳細(xì)摘要：WSM-25邁克爾遜干涉儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
平板式干涉儀。觀察光的干涉現(xiàn)象（等厚條紋、等傾條紋、白光彩色條紋），測(cè)定單色光波長(zhǎng)，測(cè)定光源和濾光片相干長(zhǎng)度、配法布里─珀羅系統(tǒng)觀察多光束干涉現(xiàn)象

詳細(xì)摘要：WSG 超聲光柵實(shí)驗(yàn)儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
利用聲光效應(yīng)原理了解聲波對(duì)光的調(diào)制作用，通過(guò)對(duì)超聲光柵形成的衍射條紋的測(cè)定，可計(jì)算不用液體媒質(zhì)中的聲速，實(shí)驗(yàn)構(gòu)思新穎、方法簡(jiǎn)便、精確度高。