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聚四氟乙烯酸槽方形槽在半導體濕法清洗工藝中的應用

時間:2025/2/8閱讀:347
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聚四氟乙烯酸洗一體成型槽PTFE無焊接水槽耐腐蝕酸洗槽高溫四氟槽

ptfe內外一體槽子主要用途,用于濕法研磨設備,HF 和HNO3的混合(定量混合),反應液內部循環(huán),及產(chǎn)品(Wafer)的蝕刻.其中,圓形槽體,用于HF化學品和水的混合配比,、HNO3和水的混合配比,并可以根據(jù)其配置的液位傳感器,進行化學品混合配比聚四氟乙烯(PTFE)酸槽憑借其優(yōu)異的化學穩(wěn)定性、耐高溫性和高純度特性,在半導體行業(yè)中扮演著至關重要的角色,主要用于以下幾個方面:

1. 濕法清洗工藝:

晶圓清洗: 在半導體制造過程中,晶圓需要經(jīng)過多次清洗以去除表面的污染物、顆粒和金屬雜質。聚四氟乙烯酸槽可用于盛裝各種清洗液,如硫酸、氫氟酸、氨水等,對晶圓進行高效清洗。

設備零部件清洗: 半導體生產(chǎn)設備中的零部件也需要定期清洗以去除沉積的雜質和殘留物。聚四氟乙烯酸槽可用于盛裝清洗液,對零部件進行浸泡或循環(huán)清洗。

2. 濕法刻蝕工藝:

晶圓刻蝕: 在半導體制造過程中,需要利用化學溶液對晶圓表面進行選擇性刻蝕,以形成所需的電路圖案。聚四氟乙烯酸槽可用于盛裝刻蝕液,如氫氟酸、硝酸、磷酸等,對晶圓進行精確刻蝕。

材料刻蝕: 一些半導體材料,如硅、二氧化硅等,也需要通過濕法刻蝕工藝進行加工。聚四氟乙烯酸槽可用于盛裝相應的刻蝕液,對材料進行刻蝕。

3. 化學機械拋光 (CMP):

拋光液盛放: CMP 是半導體制造中用于平坦化晶圓表面的關鍵工藝。聚四氟乙烯酸槽可用于盛放 CMP 拋光液,為拋光過程提供穩(wěn)定的化學環(huán)境。

聚四氟乙烯方槽,圓桶主要用于半導體新材料行業(yè)存儲酸堿溶劑,具有耐腐蝕性,本底值低的特性,可用作清洗溶劑,我公司生產(chǎn)提供各種尺寸的四氟方槽,圓桶,一體成型,耐用無泄漏風險,可根據(jù)客戶要求增加接頭,放料閥等配件,尺寸可定制,配套大型設備。

四氟桶規(guī)格:1L-50L,支持加工定制

貨號;RNKW-PTFEYT

四氟方槽常用尺寸:

300*200*50mm

300*200*100mm

300*200*150mm

300*200*200mm

400*300*50mm

400*300*100mm

400*300*200mm

400*300*300mm

貨號:RNKW-PTFEFC

產(chǎn)品特性

1.外觀純白色。

2.耐高低溫性:可使用溫度-200℃~+250℃。

3.耐腐蝕:耐強酸、強堿、王水和各種有機溶劑,且無溶出、吸附和析出現(xiàn)象。

4.防污染:金屬元素空白值低。

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PFA系列試劑瓶、洗瓶、洗氣瓶、容量瓶、燒瓶、燒杯、量杯、量筒等器皿

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