碳化硅（SiC）已成為工業(yè)電子領(lǐng)域最重要的寬禁帶半導(dǎo)體之一，由于其高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，特別是對于大功率半導(dǎo)體器件，碳化硅優(yōu)于硅，更受青睞。而碳化硅（SiC）外延材料的厚度、背景載流子濃度等參數(shù)直接決定著SiC器件的各項(xiàng)電學(xué)性能。因此，碳化硅外延技術(shù)對于碳化硅器件性能的充分發(fā)揮具有決定性的作用，是寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的一環(huán)。不知您是否為外延層厚度無損分析問題而困擾，在此我們介紹一種光學(xué)無損外延層厚度分析技術(shù)——傅立葉變換紅外反射光譜法（FTIR）。
紅外光譜法可用于測量半導(dǎo)體外延層厚度，無論硅基還是化合物半導(dǎo)體，且測量精度*。此方法是基于紅外光在層狀結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生的光干涉效應(yīng)的分析，結(jié)合基礎(chǔ)的物理自洽擬合模型，充分利用所測得的光譜特征，擬合計(jì)算給出準(zhǔn)確的層厚厚度值。對于摻雜后折射率參數(shù)很難準(zhǔn)確確定的情況下，不僅可用于單層外延層層厚分析，更重要的可以用于復(fù)雜多層結(jié)構(gòu)外延層層厚分析。結(jié)合布魯克INVENIO，VERTEX系列寬波段光譜儀，可用于亞微米量級至毫米量級的外延層層厚分析。
厚度范圍：亞微米量級至毫米量級
同質(zhì)外延、異質(zhì)外延
單層、多層
專用的分析模型，尤其對于復(fù)雜、多層結(jié)構(gòu)的分析
可選自動晶圓掃描成像附件，可對直徑2"—12"的晶圓進(jìn)行自動多點(diǎn)測試、分析
單層 多層
多點(diǎn)測試
*紅色曲線：實(shí)際測試曲線
*藍(lán)色曲線：模型擬合計(jì)算曲線以及厚度結(jié)果
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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