目錄:武漢頤光科技有限公司>>FTIR系列>>IRE200>> IRE-200 膜厚測(cè)試儀
參考價(jià) | ¥900000-¥1500000 | /臺(tái) |
參考價(jià):¥900000 ~ ¥1500000
更新時(shí)間:2025-04-27 16:11:29瀏覽次數(shù):2647評(píng)價(jià)
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產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,航空航天,電氣 |
一、概述
IRE-200光學(xué)薄膜測(cè)厚儀是一款超高精度的外延層厚度測(cè)量設(shè)備,利用紅外光譜經(jīng)傅里葉變換進(jìn)行快速分析,主要應(yīng)用于Si、GaAs、InP、SiC、GaN等各類外延片的外延層厚度測(cè)量。
■ 單拋/雙拋等多種模式選擇支持;
■ 自定義mapping功能;
■ 高檢測(cè)速率:Si標(biāo)準(zhǔn)外延片測(cè)量25點(diǎn)≤3min;
■ 高檢測(cè)精度:≤0.01um 。
二、產(chǎn)品特點(diǎn)
1)設(shè)備采用高性能光源模塊,光源穩(wěn)定性好,信噪比高,覆蓋范圍7800-350cm-1。
2)搭配自主研發(fā)算法軟件,可精準(zhǔn)快速地獲取測(cè)量結(jié)果。
3) 搭配自主研發(fā)的mapping運(yùn)動(dòng)臺(tái),定位精準(zhǔn)、測(cè)量速度快。
三、產(chǎn)品應(yīng)用
IRE-200廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中Si、SiC、GaAs、InP、GaN等基底材料上外延層厚度的量測(cè)。
SiC EPI量測(cè)案例
技術(shù)參數(shù)
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