碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 小型化 非冷卻 多結(jié)光伏探測(cè)器 2.0– 12.0 µm 參考價(jià):面議
碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 小型化 非冷卻 多結(jié)光伏探測(cè)器 2.0– 12.0 µm產(chǎn)品總覽microM-10.6是一款小型化中紅外光電探測(cè)器。這...2 - 13 um ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-4TE系列 參考價(jià):面議
2 - 13 um ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-4TE系列PVM-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)TE冷卻紅外多結(jié)...MCT中紅外 兩級(jí)TE冷卻 多結(jié)光伏探測(cè)器 PVM-2TE系列 10.6μm 參考價(jià):面議
MCT中紅外 兩級(jí)TE冷卻 多結(jié)光伏探測(cè)器 PVM-2TE系列 10.6μmPVM-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)TE冷卻紅外多結(jié)光電探測(cè)器,...碲鎘汞 MCT 雙極熱電制冷 光浸沒(méi)式 紅外光伏探測(cè)器 2.9-5.5um 參考價(jià):面議
碲鎘汞 MCT 雙極熱電制冷 光浸沒(méi)式 紅外光伏探測(cè)器 2.9-5.5umPVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36是一種基于精密碲鎘汞異...2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-3TE系列 參考價(jià):面議
2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-3TE系列PVI-3TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具...2-12um MCT 中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-2TE系列 參考價(jià):面議
2-12um 中紅外MCT 四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器 PV-4TE系列PV-4TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具有優(yōu)秀的性能和...2-12um 中紅外MCT 四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器 PV-4TE系列 參考價(jià):面議
2-12um 中紅外MCT 四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器 PV-4TE系列PV-4TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具有優(yōu)秀的性能和...2-12um 中紅外MCT三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器, 帶TEC ,PV-3TE系列 參考價(jià):面議
2-12um 中紅外MCT三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器, 帶TEC ,PV-3TE系列PV-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具有...3um中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12um ,PV-2TE系列 參考價(jià):面議
3um中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12um ,PV-2TE系列PV-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具有優(yōu)秀的...2.5-6.5um MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列 參考價(jià):面議
2.5-6.5um MCT碲鎘汞中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器,采用光學(xué)浸沒(méi)的方式提高器件的性能參...3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTe 參考價(jià):面議
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTePV系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器,具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。...美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<25ps/<25ps; 響應(yīng)度:0.65A/W@1300nm; 帶寬:>...美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@2000nm; 帶寬:>1...美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 >118 MHz 參考價(jià):面議
美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時(shí)間:<3ns/<3ns; 響應(yīng)度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118M...美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 >2 GHz 參考價(jià):面議
美國(guó)EOTInGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 2 GHz:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<175ps/<175ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@1300nm; 帶...Ge大光敏面鍺光電二極管 參考價(jià):面議
Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長(zhǎng)范圍...InGaAs雪崩光電平衡探測(cè)器 參考價(jià):面議
InGaAs雪崩光電平衡探測(cè)器 光譜響應(yīng) 800-1700nm集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度控制;隔離電...相干接收模塊 集成光電平衡探測(cè)器InGaAs 參考價(jià):面議
相干接收模塊 集成光電平衡探測(cè)器InGaAs ,光纖耦合器800-1700nm內(nèi)部集成了高速低噪聲模擬光電平衡探測(cè)器以及高品質(zhì)光纖耦合器。制作過(guò)程對(duì)耦合器分光比...偏振分集相干接收模塊InGaAs平衡探測(cè)器 參考價(jià):面議
偏振分集相干接收模塊InGaAs平衡探測(cè)器1510-1590nm是針對(duì)偏振敏感的光纖傳感應(yīng)用。該偏振分集接收模塊將本振光與信號(hào)光的兩個(gè)偏振態(tài)進(jìn)行分別相干,采用兩...InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器 參考價(jià):面議
InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器 ,光譜相應(yīng) 800-1700nm通過(guò)軟件方便快捷調(diào)節(jié)增益,增益調(diào)節(jié)范圍高達(dá)31dB,最大增益高達(dá)60KV/A。在增益調(diào)節(jié)過(guò)程中,...100KHz 碲鎘汞 MCT中紅外探測(cè)器 3-10um 高重復(fù)頻率激光系統(tǒng) 參考價(jià):面議
100KHz 碲鎘汞 MCT中紅外探測(cè)器 3-10um 高重復(fù)頻率激光系統(tǒng)產(chǎn)品應(yīng)用● 中紅外TDLAS氣體測(cè)量系統(tǒng)● 二維紅外光譜● 時(shí)間分辨紅外光譜● 二維電...Ge 鍺光電二極管探測(cè)器 800-1800nm 參考價(jià):面議
Ge 鍺光電二極管探測(cè)器 800-1800nm 產(chǎn)品應(yīng)用● 功率測(cè)試● 光纖傳感● 測(cè)試測(cè)量2mm大光敏面InGaSe光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
2mm大光敏面InGaSe光電探測(cè)器是一個(gè)全色PIN光電二極管,截止波長(zhǎng)高達(dá)2700nm。它使用的是InGaAs材料,三元化合物半導(dǎo)體InGaAs材料用于制作各...InGaAs超低噪聲模擬PIN探測(cè)器 參考價(jià):面議
InGaAs超低噪聲模擬PIN探測(cè)器,銦鎵砷單元探測(cè)器,集成寬帶跨阻放大器,超低噪聲電源集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)