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更新時(shí)間:2025-01-23 21:00:07
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器件是N型硅象限探測(cè)器,當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí),則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí),由于象限間輻射通量的變化,引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化,由此可測(cè)出物體的方位,從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。
● 標(biāo)低暗電流
● 高均勻性、高對(duì)稱性
● 高可靠性
● 盲區(qū)小
16mm四象限Si光電探測(cè)器/N型硅象限探測(cè)器 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W
封裝及尺寸
外形結(jié)構(gòu)
TO型氣密性封裝。外形結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖1,外形尺寸見(jiàn)表1。


表1、外形尺寸(單位為毫米)
尺寸符號(hào)  | φD1  | ΦD2  | ΦD3  | ΦD4  | ΦD5  | Φd  | A  | L1  | L2  | L3  | e  | 
最小值  | 30.55  | 27.80  | 3.00  | 27.915  | 22.60  | 0.98  | 7.03  | 3.02  | 1.85  | 2.70  | 18.00  | 
最大值  | 30.65  | 28.00  | 3.06  | 27.94  | 23.40  | 1.02  | 7.20  | 3.10  | 1.95  | 3.00  | 18.05  | 
引出端排列
器件的引出端排列見(jiàn)圖2,引出端功能應(yīng)符合表2的規(guī)定。

表2、引出端功能表
管腳  | 功能  | 電壓極性  | 
1  | 象限1  | 正  | 
2  | 公共P極  | 負(fù)  | 
3  | 象限4  | 正  | 
4  | 環(huán)極  | 正  | 
5  | 象限3  | 正  | 
6  | 殼體  | 地  | 
7  | 象限2  | 正  | 
● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置
● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量系統(tǒng)
特性參數(shù)  | 符號(hào)  | 測(cè)試條件 (除另有規(guī)定外,TA=22℃±3℃)  | 參數(shù)值  | 單 位  | ||
最小值  | 最大值  | |||||
響應(yīng)度(交流)(象限)  | Spi  | λ=1.064μm VR=135 V  | 脈寬20 ns、Pin=2 mW  | 0.25  | —  | A/W  | 
響應(yīng)度(直流)(象限)  | Rei  | 直流、Pin=1μw  | 0.30  | —  | ||
響應(yīng)度變化量(直流) (象限)a 響應(yīng)度變化量(交流) (象限)a  | ΔRei  | TA=-45 ℃±2 ℃  | —  | 50  | %  | |
暗電流(象限)  | IDi  | VR=135V Pin=0μw  | TA=22℃±3℃  | —  | 1  | μA  | 
TA=70℃±3℃  | —  | 10  | ||||
暗電流(環(huán))  | ID  | TA=22℃±3℃  | —  | 10  | ||
TA=70℃±3℃  | —  | 100  | ||||
結(jié)電容(象限)  | Cji  | VR=135V,f=1MHz  | —  | 15  | pF  | |
光敏面直徑  | φ  | 10  | 16  | mm  | ||
等效噪聲功率  | NEPi  | λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns  | —  | 5×10-12  | W/HZ1/2  | |
擊穿電壓(象限、環(huán))  | VBR  | IR=10μA  | 200  | —  | V  | |
象元間靈敏度非均勻性  | Rf  | λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW  | —  | 5  | %  | |
象元內(nèi)靈敏度非均勻性  | Rfn  | λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW  | —  | 5  | %  | |
象元間竄擾因子  | SLi  | λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW  | —  | 5  | %  | |
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