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貨物所在地：上海上海
更新時(shí)間：2025-01-23 21:00:07
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筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。
我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長(zhǎng)超過(guò)典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長(zhǎng)范圍從400到1700 nm。
為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔。
● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps
● 高靈敏度
● 工作波長(zhǎng)范圍：1260~1650nm
● 單電源供電
● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標(biāo)準(zhǔn)
● RoHS認(rèn)證RoHS compliant
引腳編號(hào) | 引腳功能說(shuō)明 | 引出端符號(hào) |
1 | 信號(hào)正輸出端 | Vout+ |
2 | 放大器電源 | VCC |
3 | 偏置電壓 | VAPD |
4 | 信號(hào)負(fù)輸出端 | Vout- |
5 | 接地 | GND (case) |
引腳編號(hào) | 引腳功能說(shuō)明 | 引出端符號(hào) |
1 | 信號(hào)正輸出端 | Vout+ |
2 | 信號(hào)負(fù)輸出端 | Vout |
3 | 接地 | -GND (case) |
4 | 放大器電源 | VCC |
注意事項(xiàng)
a.嚴(yán)格按照引腳說(shuō)明連接，輸出AC耦合時(shí)，差分負(fù)載應(yīng)為100Ω
b. 貯運(yùn)、使用過(guò)程中必須采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施。
c.器件屬于高電壓工作器件，使用時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和措施避免人體受到傷害。
● 無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)與SDH/SONET傳輸系統(tǒng)
● 吉比特以太網(wǎng)與光纖信道
● 其它應(yīng)用Other application
型號(hào)： IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX
速率□□□□：
0155:155Mbps
1.25:1.25Gbps
2.5:2.5Gbps
探測(cè)器類(lèi)型☆：
A: APD
P: PD
T: TIA
封裝XX：
PG:尾纖
TO:TO封裝
參數(shù)名稱(chēng) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小 | 典型Typ. | 最大 | 單位 |
TIA工作電流 | ICC | Vcc=3.3V | - | 44 | 59 | mA |
反向擊穿電壓1） | VBR | ID=100μA | 35 | - | 55 | V |
VBR溫度系數(shù) | σ | γ= dVBR/dTC | - | 0.1 | 0.15 | V/℃ |
差分跨阻 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
ZT |
Pin=-30dBm， RL=100Ω, |
54 26 3.6 | kΩ | ||
-3dB帶寬 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
f-3dB |
Pin=-30dBm | 100 1000 2000 | MHz | ||
響應(yīng)度 | Re | M=1 , λ = 1.55μm | 0.85 | 0.95 | - | A/W |
輸出阻抗 | ZO | Single ended | - | 50 | 70 | Ω |
靈敏度 IRPD5521Y-155A IRPD5521Y-155P IRPD5521Y-1.25A IRPD5521Y-1.25P IRPD5521Y-2.5A IRPD5521Y-2.5P | PS |
λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10, ER=10dB, V=Vop | -47 -39 -35 -28 -34 -26 | － | － | dBm |
過(guò)載功率 APD PIN |
PMAX |
-5 +3 | - | - | dBm | |
光回?fù)p | Lo | λ = 1.55μm | - | - | -30 | dB |
備注：1）僅適用于APD探測(cè)器 | ||||||
最大絕對(duì)額定值 T=25deg
參數(shù)名稱(chēng) | 符號(hào) | 額定值 | 單位 |
TIA電源電壓 | VCC | 5 | V |
APD反向電壓APD | VAPD | VBR | V |
APD/PD反向電流 | Ir | 2 | mA |
APD/PD正向電流 | If | 2 | mA |
工作溫度范圍 | TC | -40 ~ +85 | ℃ |
貯存溫度范圍 | TSTG | -55 ~ +100 | ℃ |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
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