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貨物所在地:上海上海
更新時(shí)間:2025-01-23 21:00:07
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垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個(gè)圓形出口,輸出激光。
應(yīng)用
原子鐘
磁力計(jì)
特點(diǎn):
包裝: 裸片
芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器
激光波長: 894.6 nm
輻射剖面: 單模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
額定值
Ta = 80°C
|              參數(shù)  |                          符號(hào)  |                          值  |         |
|              操作/焊接溫度 DC = 100%  |                          TS  |                          最小值 大值  |                          -20°C 110°C  |         
|              儲(chǔ)存溫度  |                          Tstg  |                          最小值 大值  |                          -40°C 125°C  |         
|              正向電流(保持單模) 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C  |                          If  |                          大值  |                          1.5 mA  |         
|              正向電流 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C  |                          If  |                          大值  |                          3 mA  |         
|              反向電壓  |                          不適合反向操作  |         ||
|              ESD 耐電壓 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)  |                          VESD  |                          大值  |                          250 V  |         
注意:超出大額定值范圍的應(yīng)力可能會(huì)對設(shè)備造成損壞。
  
特點(diǎn)
Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3
|              參數(shù)  |                          符號(hào)  |                          值  |         |
|              正向電流  |                          VF  |                          典型值  |                          1.78 V  |         
|              輸出功率  |                          Φ  |                          典型值  |                          0.3 mW  |         
|              閾值電流  |                          Ith  |                          典型值  |                          0.61 mA  |         
|              斜率效能  |                          SE  |                          典型值  |                          0.37 W / A  |         
|              單模抑制比  |                          SMSR  |                          最小值  |                          20 dB  |         
|              偏振消光比5)  |                          PER  |                          最小值  |                          15 dB  |         
|              峰值波長  |                          λpeak-v  |                          最小值 典型值 大值  |                          894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm  |         
|              光譜線寬度  |                          Λlinewidth  |                          大值  |                          100 MHz  |         
|              調(diào)頻調(diào)制帶寬  |                          Fm  |                          最小值  |                          4.6 GHz  |         
|              波長溫度系數(shù)  |                          TCλ  |                          典型值  |                          0.06 nm / K  |         
|              半峰全寬處視場(50% of Φmax)  |                          φx φY  |                          典型值 典型值  |                          12° 12°  |         
|              1/e2處 視場  |                          φx φY  |                          典型值 典型值  |                          20° 20°  |         
注意:波長,輸出功率根據(jù)操作溫度和電壓的變化而變化。
相對光譜發(fā)射 1)
 
輻射特征 1)
正向電流 1) 2)

光輸出功率 1) 2)

尺寸圖 3)
 

(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)