高低溫沖擊氣流儀ThermoTest Series通過(guò)其超快溫變能力和準(zhǔn)確溫控技術(shù)，在芯片測(cè)試中模擬嚴(yán)苛溫度環(huán)境，顯著提升芯片良率。以下從技術(shù)原理、測(cè)試場(chǎng)景、良率提升機(jī)制三個(gè)維度展開(kāi)：

　　一、超快溫變技術(shù)原理

　　1、氣流沖擊機(jī)制

　　雙區(qū)獨(dú)立控溫：設(shè)備內(nèi)部設(shè)高溫區(qū)（+200℃）和低溫區(qū)（-90℃），通過(guò)氣動(dòng)閥門(mén)快速切換氣流通道，實(shí)現(xiàn)10秒內(nèi)完成-55℃→+125℃溫變。

　　沖擊噴嘴設(shè)計(jì)：采用陣列式噴嘴將冷熱氣流直接噴射至芯片表面，結(jié)合PID+模糊控制算法，確保溫度均勻性。

　　2、準(zhǔn)確溫控系統(tǒng)

　　傳感器布局：在測(cè)試腔體內(nèi)集成紅外熱像儀+鉑電阻傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片表面及環(huán)境溫差。

　　動(dòng)態(tài)補(bǔ)償：通過(guò)自適應(yīng)控溫模型，根據(jù)芯片熱容量動(dòng)態(tài)調(diào)整制冷功率，控溫精度±0.1℃。

　　二、芯片測(cè)試核心場(chǎng)景覆蓋

　　1、嚴(yán)苛環(huán)境模擬

　　溫度沖擊測(cè)試：模擬芯片從寒（-65℃）到高溫（150℃）的瞬時(shí)切換，驗(yàn)證封裝材料抗熱應(yīng)力能力。

　　循環(huán)老化試驗(yàn)：在-40℃~125℃范圍內(nèi)進(jìn)行循環(huán)，篩選早期失效芯片。

　　2、工藝缺陷探測(cè)

　　晶圓級(jí)測(cè)試：對(duì)未切割晶圓進(jìn)行分區(qū)溫控，定位局部過(guò)熱或過(guò)冷導(dǎo)致的良率損失。

　　封裝后驗(yàn)證：在250℃高溫下檢測(cè)引線(xiàn)鍵合可靠性，良率提升。

　　三、良率提升量化機(jī)制

　　1、失效模式阻斷

　　熱膨脹失配：通過(guò)快速溫變測(cè)試，提前發(fā)現(xiàn)芯片與基板CTE（熱膨脹系數(shù)）失配問(wèn)題，良率提升。

　　電遷移風(fēng)險(xiǎn)：在高溫段（150℃）加速金屬導(dǎo)線(xiàn)原子擴(kuò)散，良率提升。

　　2、工藝優(yōu)化反饋

　　光刻膠穩(wěn)定性：在-20℃~85℃循環(huán)中優(yōu)化光刻工藝窗口，線(xiàn)寬均勻性改善。

　　薄膜沉積優(yōu)化：通過(guò)溫度沖擊測(cè)試調(diào)整CVD工藝參數(shù)，薄膜缺陷率降低。

　　四、國(guó)內(nèi)設(shè)備商創(chuàng)新方案

　　冠亞恒溫TES系列熱流儀：

　　升降溫速率非常迅速，可實(shí)現(xiàn)對(duì)光通信產(chǎn)品進(jìn)行快速溫度沖擊；

　　進(jìn)行溫度循環(huán)測(cè)試時(shí)，能夠穩(wěn)定的維持在某個(gè)溫度點(diǎn)，精度可達(dá)±0.5℃；

　　可針對(duì)PCB中的某個(gè)IC元件進(jìn)行溫度測(cè)試而不影響其他元器件；

　　可在實(shí)驗(yàn)室或者工作平臺(tái)上進(jìn)行溫度測(cè)試，升降溫時(shí)間可控，可程序化操作。

高低溫沖擊氣流儀ThermoTest Series通過(guò)超快溫變能力+準(zhǔn)確溫控技術(shù)，系統(tǒng)性解決芯片測(cè)試中的熱應(yīng)力、電遷移等關(guān)鍵難題，助力良率提升。