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半導(dǎo)體曝光設(shè)備由光源、聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和載物臺組成。從光源發(fā)出的紫外光通過聚光透鏡調(diào)整，使其指向同一方向。之后，紫外光穿過作為構(gòu)成電路圖案的一層的原型的光掩模，并通過投影透鏡減少光線，將半導(dǎo)體元件的電路圖案（的一層）轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體元件上。馬蘇。在諸如步進(jìn)機(jī)之類的曝光設(shè)備中，在完成一次轉(zhuǎn)移之后，通過平臺移動(dòng)硅晶片，并將相同的電路圖案轉(zhuǎn)移到硅晶片上的另一位置。通過更換光掩模，可以轉(zhuǎn)印半導(dǎo)體器件的另一層電路圖案。
所使用的光源包括波長為248 nm的KrF準(zhǔn)分子激光器、波長為193 nm的ArF準(zhǔn)分子激光器以及波長為13 nm的EUV光源。
最新半導(dǎo)體制造工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則（最小加工尺寸）越來越細(xì)化至3至5納米左右，因此聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和平臺都需要納米級的高精度。此外，隨著層壓的進(jìn)行，進(jìn)行多次曝光以改變電路圖案并形成單個(gè)半導(dǎo)體。
