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德國Hellma CeBr3晶體材料發(fā)射光譜峰值在370 nm
德國Hellma GmbH & Co. KG是一家成立于1922年的公司，由Karl Mayer創(chuàng)立。Hellma最初以生產簡單的光學玻璃比色皿起家，這些產品主要用于旋光、比色和分光光度測試。隨著科學行業(yè)的興旺，特別是五十年代，比色測試成為了定性分析和定量分析的常用方法，Hellma也積極開發(fā)和擴展其產品系列以滿足新型比色皿的迅速增長需求。
主要產品：
Hellma比色皿
Hellma晶體材料
Hellma光學材料
Hellma光學玻璃
Hellma光學元件
Hellma晶體材料CeBr3
高分辨率：CeBr3晶體以其高分辨率而為人熟知，在高能物理、核醫(yī)學、石油勘探、環(huán)境監(jiān)測、安全檢查等領域有廣泛應用。
快速衰減時間：CeBr3晶體的衰減時間快速，這使得它在需要快速響應的應用中表現(xiàn)出色。
低本底輻射：CeBr3晶體在1500-2200 keV能量范圍內，自身本底輻射低于0.001c/s/cc，這為低本底輻射應用提供了優(yōu)勢。
高密度：CeBr3晶體的密度為5.18 g/cm3，略高于LaBr3:5%Ce的5.07 g/cm3，這與其較大的有效原子數(shù)（Zeff）有關，分別為45.9和45.3。
發(fā)射光譜特性：CeBr3晶體的Ce3?發(fā)射光譜峰值在370 nm，與LaBr3:5%Ce的360 nm相比，略有不同。
自吸收和再發(fā)射：CeBr3晶體的發(fā)射光譜會因樣本厚度的不同而有所變化，這是由于閃爍自吸收和再發(fā)射過程引起的。
高能量分辨率：CeBr3晶體在662 keV的能量分辨率約為4%，主要由閃爍自吸收和再發(fā)射過程限制，這導致與LaBr3:5%Ce相比，光產量（LY）較低。
高檢測靈敏度：在低于3 MeV的能量下，CeBr3的平均檢測靈敏度比LaBr3:5%Ce高約5倍，對于40K的檢測高達16倍。
抗輻射能力：CeBr3能夠承受1012 protons/cm2的質子通量（>1 Mrad Siequivalent dose），適用于空間應用。
環(huán)境穩(wěn)定性：CeBr3晶體在空氣中易潮解、易氧化，需要避光密封保存，生長過程中易分解，造成晶體開裂、透明度下降，對生長環(huán)境、技術工藝要求較高。
摻雜性能提升：CeBr3晶體可以通過摻雜其他元素如鍶（Sr）來提高性能，0.2%的鍶摻雜量較為合適，可以兼顧性能與生長要求。
型號示例：
Hellma晶體材料CeBr3
Hellma晶體材料Yb3+
Hellma晶體材料BaF2
Hellma晶體材料CaF2
Hellma晶體材料LBC:Ce
Hellma晶體材料CaF2:Eu
Hellma晶體材料CVD Zinc Sulfide
Hellma晶體材料Cleartran
Hellma晶體材料CVD Zinc Selenide
德國Hellma CeBr3晶體材料發(fā)射光譜峰值在370 nm
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