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  • 高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

    德國SciDre公司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔壓力可達300bar,甚至10-5mbar的高真空

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    高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

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