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OmniPL-MicroS-顯微光致發(fā)光光譜儀
  • OmniPL-MicroS-顯微光致發(fā)光光譜儀

貨物所在地:北京北京市

地: 北京市通州區(qū)

更新時(shí)間:2025-03-25 11:37:07

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光致發(fā)光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可見(jiàn)或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光,在半導(dǎo)體材料的發(fā)光特性測(cè)量應(yīng)用中通常是用激光(波長(zhǎng)如325nm、532nm、785nm 等)激發(fā)材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)產(chǎn)生熒光,通過(guò)對(duì)其熒光光譜(即PL 譜)的測(cè)量,分析該材料的光學(xué)特性,如禁帶寬度等。

    光致發(fā)光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可見(jiàn)或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光,在半導(dǎo)體材料的發(fā)光特性測(cè)量應(yīng)用中通常是用激光(波長(zhǎng)如325nm532nm、785nm 等)激發(fā)材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)產(chǎn)生熒光,通過(guò)對(duì)其熒光光譜(即PL 譜)的測(cè)量,分析該材料的光學(xué)特性,如禁帶寬度等。光致發(fā)光可以提供有關(guān)材料的結(jié)構(gòu)、成分及環(huán)境原子排列的信息,是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法,因而在物理學(xué)、材料科學(xué)、化學(xué)及分子生物學(xué)等相關(guān)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
 

    傳統(tǒng)的顯微光致發(fā)光光譜儀都是采用標(biāo)準(zhǔn)的顯微鏡與熒光光譜儀的結(jié)合,但是傳統(tǒng)的顯微鏡在材料的PL 譜測(cè)量中,存在很大的局限性,比如無(wú)法靈活的選擇實(shí)驗(yàn)所需的激光器(特別對(duì)于UV 波段的激光器,沒(méi)有足夠適用的配件),無(wú)法方便的與超低溫制冷機(jī)配合使用,采用光纖作為光收集裝置時(shí)耦合效率太低等等問(wèn)題,都是采用標(biāo)準(zhǔn)顯微鏡難以回避的問(wèn)題。

    北京卓立漢光儀器有限公司結(jié)合了公司十余年熒光光譜儀和光譜系統(tǒng)的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)和普遍用戶的實(shí)際需求,推出了“OmniPLMicroS"系列顯微光致發(fā)光光譜儀,有效的解決了上述問(wèn)題,是目前市場(chǎng)上 具性價(jià)比的的顯微PL 光譜測(cè)量的解決方案。



性能特點(diǎn):

●一體化的光學(xué)調(diào)?!泄鈱W(xué)元件只需要在初次安裝時(shí)進(jìn)行調(diào)校,確保高效性和易用性

● 簡(jiǎn)單易用的雙光路設(shè)計(jì)——可隨意在水平和垂直光路上進(jìn)行切換,適用于各種常見(jiàn)的樣品形態(tài)

● 超寬光譜范圍**——200nm-1600nm

● 視頻監(jiān)視光路——可供調(diào)整測(cè)試點(diǎn)

● *的發(fā)射光譜校正功能*——讓光譜測(cè)量更精準(zhǔn)且具有可比性

● 多種激發(fā)波長(zhǎng)可選**——325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等

● 自動(dòng)mapping功能可選*——50mm×50mm測(cè)量區(qū)間,可定制特殊規(guī)格

● 電致發(fā)光(EL)功能可選*——擴(kuò)展選項(xiàng)

● 顯微拉曼光譜測(cè)量功能可選*——擴(kuò)展選項(xiàng)

● 超低溫測(cè)量附件可選*——提供10K以下的超低溫測(cè)量

*選配項(xiàng),請(qǐng)?jiān)敿?xì)咨詢;

**需根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行配置確定。

參數(shù)規(guī)格表*



應(yīng)用
不同制冷溫度下GaN材料的PL譜
激發(fā)波長(zhǎng):325nm,功率:20mW,制冷機(jī) 低制冷溫度:10K



ZnO材料的PL譜

激發(fā)波長(zhǎng):325nm; ZnO 薄膜樣品在382nm 處有一個(gè)特別強(qiáng)的熒光譜帶,而在500 ~ 600nm 波段,有個(gè)弱的可見(jiàn)光熒光譜帶。

通過(guò)研究這些譜帶,可以反映ZnO 表面態(tài)對(duì)熒光的影響以及晶型和缺陷信息。

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