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超臨界流體法及非均勻形核法超細(xì)粉體表面包覆原理及優(yōu)點(diǎn)

閱讀:1323      發(fā)布時(shí)間:2020-4-8
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超臨界流體法是尚在研究的一種新技術(shù)。

 

在超臨界情況下,降低壓力可以導(dǎo)致過(guò)飽和的產(chǎn)生,而且可達(dá)到高過(guò)飽和速率,使固體溶質(zhì)從超臨界溶液中結(jié)晶出來(lái)。由于結(jié)晶過(guò)程是在準(zhǔn)均勻介質(zhì)中進(jìn)行的,能夠得到更準(zhǔn)確的控制。

 

因此,從超臨界溶液中進(jìn)行固體沉積是一種很有前途的新技術(shù),能夠產(chǎn)生平均粒徑很小的細(xì)微粒子,而且還可控制其粒度分布。

 

非均勻形核法超細(xì)粉體表面包覆原理及優(yōu)點(diǎn)

非均勻形核法

 非均勻形核法是根據(jù)LAMER 結(jié)晶過(guò)程理論,利用改性劑微粒在被包覆顆?;w上的非均勻形核與生長(zhǎng)來(lái)形成包覆層。該方法可以精確控制包覆層的厚度及化學(xué)組分。

 

非均勻形核包覆中,改性劑的質(zhì)量濃度介于非均勻形核臨界濃度與臨界飽和濃度之間,所以非均勻形核法包覆是一種發(fā)生在非均勻形核臨界濃度與均相成核臨界濃度之間的沉淀包覆。

 

非均勻形核臨界濃度與均相形核臨界濃度之間形成無(wú)定形包覆層,而在均相形核臨界濃度與臨界飽和濃度之間形成的是一種多晶相包覆層,高于臨界飽和濃度則形成大量的沉淀物,不會(huì)對(duì)顆粒均相包覆。

無(wú)定形包覆與多晶相包覆相比,更容易實(shí)現(xiàn)包覆層的均勻、致密。

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