由于PI隔膜目前難以加工和量產，制備PI多孔膜的常用方法實用性欠佳，因此學者們還探索了其他制備PI多孔膜的方法，如燒結法、輻照刻蝕法、接枝或共聚不穩(wěn)定鏈段法等。

HMUNAKATA等將硅膠晶體過濾后得到沉降有硅離子的膜，將這層膜在1100℃下高溫燒結處理后，得到硅離子排列規(guī)整的模板，在硅模板間澆注聚酰胺酸溶液，高溫亞胺化后得到Si/PI復合膜，用Hydrofluoric acid將硅刻蝕后得到PI多孔膜。

將該膜直接用于甲醇燃料電池后發(fā)現(xiàn)，通過改變孔的大小可以抑制甲醇的滲透，其質子傳導率/甲醇滲透率為1.2×105Scm-3s，比Nafion膜高一個數量級。

崔清臣等提出了一種輻照刻蝕法制備PI多孔膜，其過程是以PI薄膜為基材，用高能量重離子對PI表面進行輻照，然后用紫外線或溶劑對PI薄膜進行敏化，將敏化的PI薄膜浸于NaOH-KMnO4溶液中進行化學刻蝕，獲得孔徑為0.01～3μm的多孔PI薄膜。

KRCARTER等在全氟骨架的PI鏈上引入熱不穩(wěn)定聚環(huán)氧丙烷，使其在310℃的惰性氣氛中亞胺化后，再在250℃的有氧環(huán)境中進行熱處理，使熱不穩(wěn)定聚環(huán)氧丙烷鏈段降解，得到多孔PI膜。然而在實際應用過程中以上幾種PI多孔膜的制備方法都缺少相應的配套設備，影響了其產業(yè)化的進程。