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利用ICP-MS對(duì)半導(dǎo)體級(jí)鹽酸中的雜質(zhì)進(jìn)行分析

閱讀:403      發(fā)布時(shí)間:2017-05-23
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在半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)過程中,許多流程中都要用到各種酸類試劑。其中重要的是鹽酸(HCl),其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導(dǎo)體設(shè)備尺寸不斷縮小,其生產(chǎn)中使用的試劑純度變得越來越重要,這是因?yàn)榧词故巧倭侩s質(zhì)也會(huì)導(dǎo)致設(shè)備的失效。SEMI 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的是金屬雜質(zhì)的大濃度(SEMI 標(biāo)準(zhǔn)C27-07081 用于鹽酸),而半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)商對(duì)雜質(zhì)濃度的要求往往更加嚴(yán)格,這樣就給試劑供應(yīng)商帶來了更大的挑戰(zhàn)。其結(jié)果是,分析儀器也必須能夠?qū)Ω蜐舛鹊碾s質(zhì)成分檢測(cè)。

電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)具備測(cè)定納克/ 升(ng/L,PPT)甚至更低濃度元素含量的能力,是測(cè)量痕量及超痕量金屬的技術(shù)。然而,常規(guī)的測(cè)定條件下,氬、氧、氫離子會(huì)與酸基體相結(jié)合,對(duì)待測(cè)元素產(chǎn)生多原子離子干擾。

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珀金埃爾默企業(yè)管理(上海)有限公司

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