MCP的主要特性和參數(shù)
l 孔徑(pore size)與孔間距(pitch):通常MCP的孔徑在10um量級,而孔間距則比孔徑略大??组g距越小,空間分辨率越高(通常MCP類探測器的空間分辨率主要限制因素不是MCP孔間距)??组g距和孔徑確定了MCP探測面的占空比。如10 - 12(孔徑10um,間距12um)的MCP占空比為63%。 一般而言小口徑(<40mm有效探測面)MCP的孔徑也較小,大口徑(>75mm有效探測面)MCP的孔徑也交大。
l 縱橫比(aspect ratio):縱橫比是MCP的一個重要參數(shù),它是指MCP微通道孔長度和孔徑的比。通常有40:1, 60:1,也有達到80:1及以上的??v橫比越大,增益越高,但時間響應會受到一定的影響。
l 有效口徑:從10mm - 150mm,MCP可提供多種口徑。先鋒科技代理的英國Photek公司為目前提供商品化大口徑MCP探測器的*廠商。
l 增益:單級MCP一般可提供103的增益;MCP級聯(lián)可獲得更高增益(雙106,三級107-8。
l 傾角與級聯(lián):為入射電子有效的轟擊MCP的側(cè)壁,微通道通常并與MCP端面法線同向,而是有一個5-15度范圍的夾角。將兩片MCP級聯(lián)時,它們的微通道通常成“V”字型級聯(lián)(chevron stack)排布,而三級聯(lián)的MCP通常采用“Z”字型級聯(lián)。
l 鍍層:MCP兩端面通常鍍金屬薄膜以導電;部分特殊的鍍膜(如金、碘化銫等)可以擴展響應的范圍。
l 高壓與阻抗:通常一級MCP需要的高壓為1kV左右,增益隨高壓是非線性增加的,所以MCP對高壓的穩(wěn)定性和低噪聲要求較高;單級MCP的直流阻抗通常是在百兆歐量級,電流(功率)消耗很小。
l 真空要求:MCP是電真空器件,要求處在超高真空環(huán)境(<10-4Pa)環(huán)境中才能施加直流偏壓。
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