真空MCP探測器的電壓配置以及門控
MCP每一級(jí)需要約1kV的高壓;熒光屏相對與MCP輸出面需要約5kV的高壓以使電子具備較高的能量有效激發(fā)熒光;陽板通常則相對于MCP輸出處在200V左右的高電位。
真空MCP探測器的電壓配置簡介
如圖10所示的一個(gè)典型的MCP影像探測器(采用熒光屏輸出),各間相對電壓的幅度一般為:
Vout = Vin + 2000V;
Vscreen = Vout + 5000V = Vin + 7000V
圖10 一個(gè)典型MCP探測器的電壓配置
當(dāng)探測的粒子為電中性(如光子)時(shí),比較方便的是熒光屏(或陽)接地,此時(shí)Vscreen = 0, Vout = -5kV, Vin = -7kV
而探測帶電粒子時(shí),則需要對各級(jí)電壓小心配置。因?yàn)榱W釉匆话闶橇汶娢坏模绻鸐CP輸入端為負(fù)高壓,陽離子會(huì)被加速,從而使得飛行時(shí)間不能正確反映粒子的初始動(dòng)能;電子和陰離子會(huì)被減速,導(dǎo)致動(dòng)能變化甚至不能到達(dá)探測面。
因此帶電粒子探測時(shí)通常MCP輸入面接地。
有的實(shí)驗(yàn)需要過濾某種電性的粒子,如MCP輸入面接負(fù)高壓從而禁止低能電子到達(dá)探測面,而又不希望該負(fù)電勢導(dǎo)致探測的陽離子動(dòng)能增加,可以在靠近MCP輸入面前端加金屬柵網(wǎng),該柵網(wǎng)可以接地以確保粒子在飛行過程中動(dòng)能不變,而MCP輸入面相對于柵網(wǎng)的電勢可以阻擋某種電性的粒子。由于柵網(wǎng)和MCP很接近,不會(huì)對待測粒子的飛行時(shí)間造成影響。
Photek公司可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要,設(shè)計(jì)不同的電壓配置:陽接地,輸入接地,輸入浮地,柵網(wǎng)等等配置。
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