（1）VPD 溶液的分析

氣相分解- 電感耦合等離子體質(zhì)譜聯(lián)用（VPD-ICP-MS）法，具有業(yè)界所需的檢測(cè)限和穩(wěn)定性，測(cè)試結(jié)果快速可靠，廣泛應(yīng)用于硅晶片的測(cè)試，硅晶片的純度一般要求在99.9999999%以上。

純度要求如此之高，這就到了ICP-MS 大顯身手的時(shí)候了！

VPD 樣品中含有高含量的酸和硅基體，并且目標(biāo)檢測(cè)元素的含量通常也非常低，由于基體溶液會(huì)產(chǎn)生大量的多原子離子干擾（如表一所示），所以說VPD 溶液的測(cè)試是挑戰(zhàn)性的。為了得到更加的結(jié)果，干擾的去除是非常必要的，比如使用串接式等ICP-MS，高分辨ICP-MS 和使用碰撞反應(yīng)池等技術(shù)。

（2）半導(dǎo)體級(jí)異丙醇的分析

異丙醇（IPA）用清洗硅片的溶劑時(shí)，會(huì)與硅片表面直接接觸，因此，必須控制其痕量金屬雜質(zhì)濃度。采用靈敏高的ICP-MS 技術(shù)直接分析IPA 可為IPA 中超痕量分析物（ng ? L-1）提供有用的控制，并避免由樣品制備引起的污染。

ICAP TQs ICP-MS 結(jié)合了三重四極桿和冷等離子體技術(shù)，該高度靈活的方法實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體行業(yè)分析所需的超痕量背景等效濃度（BEC）和檢測(cè)限（LOD）。

校正數(shù)據(jù)

圖 4 顯示了 IPA 中 Li、P、K、Ti、As、Zr 和 Ta 的校正曲線。采用校正標(biāo)準(zhǔn)品在 ng·L-1 級(jí)水平范圍內(nèi)測(cè)得的校正曲線呈現(xiàn)出優(yōu)異的線性和靈敏度。通過三重四極桿模式和冷等離子體得到改善的干擾去除可實(shí)現(xiàn)更具挑戰(zhàn)性分析物的低背景噪聲。

2、RoHS 解決方案

賽默飛為RoHS指令中的有害物質(zhì)多溴聯(lián)苯、多溴二苯醚阻燃劑、鄰苯二甲酸酯和多環(huán)芳烴等有害物質(zhì)的測(cè)定提供加速溶劑萃取（ASE）前處理、氣相色譜（GC）、氣相色譜- 質(zhì)譜聯(lián)用儀（GC-MS）和液相色譜儀（HPLC）等檢測(cè)技術(shù)，并提供原子吸收光譜儀（AAS）、電感耦合等離子發(fā)射光譜儀（ICP-OES）、電感耦合等離子體- 質(zhì)譜儀（ICP-MS）和離子色譜儀（IC）用于測(cè)定鎘、鉛和汞，分離并測(cè)定六價(jià)鉻。具體詳情可參考《RoHS 指令檢測(cè)產(chǎn)品及技術(shù)——色譜質(zhì)譜及光譜儀綜合解決方案》或與我們聯(lián)系。