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CVD石墨烯制備研制出來的石墨烯是一種非常特殊的材料，因為它具有導(dǎo)電和透明的優(yōu)點(diǎn)。材料的透明度通常取決于它的電子性能，需要一個帶隙。在正常情況下，透明度和電導(dǎo)率相互排斥，除了一些化合物。在表面上生長的石墨烯可以使石墨烯層的大小達(dá)到或多或少的無限大小并且具有很高的可控性，這使得這些方法可以用于工業(yè)生產(chǎn)。然而，純度并不是很高，這使得這些方法不適用于石墨烯的實驗室研究。
PECVD化學(xué)氣相沉積多通道質(zhì)量流量控制系統(tǒng)一款多路質(zhì)量流量計控制系統(tǒng)，其質(zhì)量流量計和不銹鋼混氣罐都安裝在一個移動柜里，移動柜Z大可以承重1000Lbs，所以在與本公司大多數(shù)管式爐配套使用時，可將設(shè)備置于移動柜上以節(jié)約空間。
CVD石墨烯制備使用注意事項
石墨烯制備設(shè)備雙溫區(qū)滑軌式CVD系統(tǒng)爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
·當(dāng)爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
·石英管的長時間使用溫度＜1100℃
·對于樣品加熱的實驗，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）
CVD石墨烯制備方法主要有四種：微機(jī)械剝離法、SiC外延生長法、化學(xué)氣相沉積法（CVD）、氧化還原法。CVD石墨烯的制備方法簡單易行，所得石墨烯的質(zhì)量高，可實現(xiàn)大面積生長，而且易于轉(zhuǎn)移到各種基底上使用，因此該方法廣泛用于石墨烯透明導(dǎo)電膜，以成為制備高質(zhì)量石墨烯的主要方法。
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