FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備

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• 簡單介紹產(chǎn)品名稱：FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備
• 產(chǎn)品型號：FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備
• 產(chǎn)品展商：其它品牌
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FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備:美國Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測量設(shè)備，客戶遍布*, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測量設(shè)備、 紅外干涉厚度測量設(shè)備、電學(xué)測量設(shè)備:高溫四探針測量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)

產(chǎn)品描述

產(chǎn)品簡介：

美國Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測量設(shè)備，客戶遍布*, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測量設(shè)備、 紅外干涉厚度測量設(shè)備、電學(xué)測量設(shè)備:高溫四探針測量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)

FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備

在襯底鍍上薄膜后, 因為兩者材質(zhì)不一樣, 所以會引起應(yīng)力. 如應(yīng)力太大會引起薄膜脫落, *終引致組件失效或可靠性不佳的問題. 薄膜應(yīng)力激光測量儀利用激光測量樣本的形貌,透過比較鍍膜前后襯底曲率半徑的變化, 以Stoney’s Equation計算出應(yīng)力, 是品檢及改進(jìn)工藝的有效手段。

°  快速、非接觸式測量

°  樣品臺可通用于3至8寸晶圓

128L型號適用于12寸晶圓

128G 型號適用于470 X 370mm樣品，

另可按要求訂做

°  雙激光自動轉(zhuǎn)換技術(shù)

    如某一波長激光在樣本反射度不足，系統(tǒng)會自動使用

另一波長激光進(jìn)行掃瞄，滿足不同材料的應(yīng)用

°  全自動平臺，可以進(jìn)行2D及3D掃瞄（可選)

°  可加入更多功能滿足研發(fā)的需求

   電介質(zhì)厚度測量

   光致發(fā)光激振光譜分析

（III-V族的缺陷研究）

°  500 及 900°C高溫型號可選

°  樣品上有圖案亦適用

規(guī)格:

測量方式: 非接觸式(激光掃瞄)

樣本尺寸: 

FSM 128  : 75 mm to 200 mm

FSM 128L: 150 mm/ 200 mm/ 300mm

FSM 128G: *大550×650 mm

掃瞄方式: 高精度單次掃瞄、2D/ 3D掃瞄(可選)

激光強(qiáng)度: 根據(jù)樣本反射度自動調(diào)節(jié)

激光波長:  650nm及780nm自動切換(其它波長可選)

薄膜應(yīng)力范圍: 1 MPa — 1.4 GPa

(硅片翹曲或彎曲度變化大于1 micron)

重復(fù)性: 1% (1 sigma)*

準(zhǔn)確度:< 2.5%*

*使用20米半徑球面鏡

設(shè)備尺寸及重量:

FSM 128: 14″(W)×22″(L)×15″(H)/ 270 lbs

FSM128L:14″(W)×26″(L)×15″/ 280 lbs

FSM128G:37″(W)×48″(D)×19″(H)/ 400 lbs

電源 : 110V/220V, 20A