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水滴角測(cè)量?jī)x應(yīng)用芯片半導(dǎo)體行業(yè)（晶圓wafer）的關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)
半導(dǎo)體芯片行業(yè)特別是晶圓制程中對(duì)于清凈度的要求非常高，只有符合要求的晶圓才可視為合格品。作為測(cè)試等離子清洗效果評(píng)估的手段，水滴角測(cè)量?jī)x是評(píng)估晶圓品質(zhì)的有效的工具。2018年以來(lái)，中國(guó)的芯片行業(yè)得到了迅速發(fā)展，因而，對(duì)于水滴角的測(cè)試提出了更高要求。
根據(jù)水滴角測(cè)試基本原理：固體樣品表面因本身存在的表面粗糙度、化學(xué)多樣性、異構(gòu)性的等因素，固體表面的接觸角值或水滴角值均體現(xiàn)為左、右、前、后的不一致；因而，水滴角的測(cè)量?jī)x器的算法必須采用符合界面化學(xué)的基本原理并能夠?qū)崿F(xiàn) 3D水滴角測(cè)量的阿莎算法（ADSA-RealDrop）。同時(shí)，硬件方面必須具備微米級(jí)控制精度的獨(dú)立控制的二維水平調(diào)整臺(tái)和微米級(jí)控制精度的獨(dú)立控制的二維水平調(diào)整機(jī)構(gòu)。
測(cè)試芯片半導(dǎo)體的應(yīng)用過(guò)程的技術(shù)要求：
1、由于芯片納米級(jí)的工藝，如12納米或7納米制程時(shí)，且結(jié)構(gòu)是多樣的，方向是多樣的，因而，異構(gòu)性以芯片或晶圓制程中尤其突出。進(jìn)而，必須要求水滴角測(cè)量?jī)x能夠基于阿莎算法并充分利用阿莎算法的敏感度高的優(yōu)點(diǎn)。
2、水滴角測(cè)量?jī)x的應(yīng)用物性要求能夠敏感的捕捉到微滴（盡量為1uL以內(nèi)，采用超細(xì)針頭）小范圍內(nèi)的左、右、前、后由于清潔度效果不好導(dǎo)致的角度的微小變化。
綜合如上，我們可以發(fā)現(xiàn)，對(duì)于芯片或晶圓制程來(lái)講，水滴角的應(yīng)用除了用于測(cè)試等離子清洗（Plasma）的效果外，還有一個(gè)更為重要的應(yīng)用是評(píng)估何種情況下，晶圓的粘附力或表面自由能是合理的。而特別是后者的應(yīng)用，目前來(lái)講，中國(guó)的芯片制造廠還沒(méi)有像國(guó)外的生產(chǎn)廠那個(gè)引起足夠的重視。
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