真空管式爐在真空壓力下，加在電感線圈的射頻電場，使反應(yīng)室氣體發(fā)生輝光放電，在輝光發(fā)電區(qū)域產(chǎn)生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量，其本身溫度很高，它與氣體分子相碰撞，使氣體分子活化。它們吸附在襯底上，并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成介質(zhì)膜，副產(chǎn)物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走，稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉(PECVD)。

真空管式爐主要功能和特點(diǎn)：

1、采用KF快速法蘭密封，裝卸方便快捷。

2、管路采用世界*Swagelok卡套連接，不漏氣。

3、超溫、過壓時(shí)，自動切斷加熱電源及流量計(jì)進(jìn)氣，使用安全可靠。

4、每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性。

5、高真空系統(tǒng)由雙級旋片真空泵和分子泵組成，高真空可達(dá)0.001Pa。

6、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計(jì)，流量顯示儀等組成，實(shí)現(xiàn)氣體的流量的精密測量和控制。

7、PECVD具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等。

8、PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)。

9、借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。