晶圓片級封裝等離子體處理在晶圓級封裝中的先進應用日益增多，由于半導體器件制造商進一步縮小尺寸，提高封裝器件的可靠性，等離子處理機在更高層次的晶圓級封裝中得到了越來越多的應用。晶圓片等離子清洗機可以處理多種尺寸的晶片，大容量，自動化處理。

片狀清洗等離子清洗機用于消除晶圓級設備制造或上游組裝過程中所產(chǎn)生的污染物。不管是哪種情況，清潔產(chǎn)品以去除氟，氧化物或是金屬的污染，都會大大提高集成電路的產(chǎn)量，可靠性和性能。
 脫渣為光刻膠殘留量有時仍在發(fā)展、處理。等離子體處理在進一步處理之前，少量抗蝕劑在晶片的整個表面上被均勻地去除。晶圓片等離子清洗機等離子體處理可用于成批剝離，材料包括光致抗蝕劑，氧化物，氮化物蝕刻，電介質(zhì)。蝕刻率均勻度大于97%，每分鐘1微米可實現(xiàn)。剝離與蝕刻工藝可用于圓片級封裝，MEMS制造及磁盤驅(qū)動器處理。硅片前處理等離子處理機去除污染物和氧化，提高粘接率和可靠性。此外，等離子清洗機還為微粗糙改善晶片鈍化層之間的粘附。
        在UBM中，BCB與UBM的粘附等離子體處理改變晶片的鈍化層的形態(tài)和潤濕作用。高分子材料，例如苯并環(huán)丁烯(BCB)和UBM，在晶片的介電層中重新分布。等離子體清洗機處理使硅片初始鈍化層形態(tài)發(fā)生變化，潤濕性增強。介質(zhì)圖案形成再分配層的典型方法包括采用典型光刻方法對介質(zhì)再分配材料進行圖案化。晶圓片等離子清洗機等離子體清洗是介質(zhì)圖案化的可行替代方法，并可避免傳統(tǒng)的濕法處理。
        利用WLP小孔的清理，將晶片組成在堆疊芯片上，常會產(chǎn)生殘余的產(chǎn)物，通過形成過程。通等離子體過優(yōu)化結(jié)構(gòu)，可以在不損傷晶片表面的情況下處理通孔。壓凹等離子清洗可改善壓凹粘連，提高壓凹剪切強度。通過改善晶片表面的凹凸粘連，等離子清洗機可以顯著提高凹凸剪切強度，凸模材料包括焊料和金釘?shù)牟煌煞帧?/span>