晶圓片級封裝等離子體處理在晶圓級封裝中的先進應(yīng)用日益增多,由于半導(dǎo)體器件制造商進一步縮小尺寸,提高封裝器件的可靠性,等離子處理機在更高層次的晶圓級封裝中得到了越來越多的應(yīng)用。晶圓片等離子清洗機可以處理多種尺寸的晶片,大容量,自動化處理。
片狀清洗等離子清洗機用于消除晶圓級設(shè)備制造或上游組裝過程中所產(chǎn)生的污染物。不管是哪種情況,清潔產(chǎn)品以去除氟,氧化物或是金屬的污染,都會大大提高集成電路的產(chǎn)量,可靠性和性能。
脫渣為光刻膠殘留量有時仍在發(fā)展、處理。等離子體處理在進一步處理之前,少量抗蝕劑在晶片的整個表面上被均勻地去除。晶圓片等離子清洗機等離子體處理可用于成批剝離,材料包括光致抗蝕劑,氧化物,氮化物蝕刻,電介質(zhì)。蝕刻率均勻度大于97%,每分鐘1微米可實現(xiàn)。剝離與蝕刻工藝可用于圓片級封裝,MEMS制造及磁盤驅(qū)動器處理。硅片前處理等離子處理機去除污染物和氧化,提高粘接率和可靠性。此外,等離子清洗機還為微粗糙改善晶片鈍化層之間的粘附。
在UBM中,BCB與UBM的粘附等離子體處理改變晶片的鈍化層的形態(tài)和潤濕作用。高分子材料,例如苯并環(huán)丁烯(BCB)和UBM,在晶片的介電層中重新分布。等離子體清洗機處理使硅片初始鈍化層形態(tài)發(fā)生變化,潤濕性增強。介質(zhì)圖案形成再分配層的典型方法包括采用典型光刻方法對介質(zhì)再分配材料進行圖案化。晶圓片等離子清洗機等離子體清洗是介質(zhì)圖案化的可行替代方法,并可避免傳統(tǒng)的濕法處理。
利用WLP小孔的清理,將晶片組成在堆疊芯片上,常會產(chǎn)生殘余的產(chǎn)物,通過形成過程。通等離子體過優(yōu)化結(jié)構(gòu),可以在不損傷晶片表面的情況下處理通孔。壓凹等離子清洗可改善壓凹粘連,提高壓凹剪切強度。通過改善晶片表面的凹凸粘連,等離子清洗機可以顯著提高凹凸剪切強度,凸模材料包括焊料和金釘?shù)牟煌煞帧?/span>
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。