介紹:
在傳統(tǒng)的高速旋涂無法提供均勻覆蓋深孔形貌或高縱橫比的應用中,超聲波光刻膠噴涂系統(tǒng)用均勻的光刻膠薄膜涂覆半導體成為了完整的解決方案。與傳統(tǒng)的旋涂相比,采用超聲波噴涂的光致抗蝕劑涂層在沉積更均勻的涂層方面具有優(yōu)勢,特別是在高深寬比溝槽和v形槽結(jié)構中沿側(cè)壁頂部沉積時,離心旋涂無法沉積均勻的涂層沿著側(cè)壁形成膜,而沒有過多的光致抗蝕劑沉積在腔體的底部。事實證明,使用超聲技術進行直接噴涂是將光刻膠沉積到3D微結(jié)構上的可靠且有效的方法,從而減少了因金屬過度暴露于抗蝕劑涂層而導致的設備故障。
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