近紅外二區(qū)量子點：硒化銀（Ag2Se）QDs結構和光學性質表征

無機半導體量子點具有物理化學性質，包括尺寸依賴的熒光發(fā)射、高的發(fā)光強度、高的光物理/化學穩(wěn)定性和表面易功能化等，應用于發(fā)光二極管（LED）、太陽能電池、激光器和生物成像等領域。因此，設計合成具有高熒光量子產率（PLQY）、可調的熒光發(fā)射和生物相容性的量子點是研究熱點。

近紅外窗口（NIR-II，900-1700 nm）熒光由于活體對其光子的吸收和散射效應降低，在生物醫(yī)學成像和近紅外LED等方面得到研究。。以Ag2Se為例，它具有窄的直接帶隙（0.15 eV），是一種的NIR-II熒光材料。然而，Ag2Se中Ag離子的高遷移率導致大量的陽離子空位和晶體缺陷，導致Ag2Se量子點的PLQY小于1%。因此，研究一種新的策略來獲得高PLQY的Ag基量子點具有重要意義。

研究人員采用合金化的方法合成了銀金硒（AgAuSe）量子點。該量子點發(fā)射峰位于978 nm，其PLQY為65.3%（為目前報道的不含性重金屬的NIR-II量子點PLQY的記錄），發(fā)射半峰寬為90 nm，壽命為4.58 μs。結合變溫光譜，表明該量子點PLQY的主要原因在于非輻射躍遷的。進一步通過瞬態(tài)吸收光譜，表征了其激子動力學過程。該合金化策略對不同尺寸的Ag2Se量子點具有普適性，可在820-1170 nm范圍內調節(jié)AgAuSe量子點的熒光發(fā)射光譜。這種具有重金屬元素的高PLQY量子點在生物成像、發(fā)光二極管和光伏器件中表現(xiàn)出應用潛力。

近紅外二區(qū)：硒化銀量子（Ag2Se）量子點

 近紅外二區(qū)：硒化銀量子（Ag2Se）量子點

無機半導體量子點具有物理化學性質，包括尺寸依賴的熒光發(fā)射、高的發(fā)光強度、高的光物理/化學穩(wěn)定性和表面易功能化等，應用于發(fā)光二極管（LED）、太陽能電池、激光器和生物成像等領域。因此，設計合成具有高熒光量子產率（PLQY）、可調的熒光發(fā)射和生物相容性的量子點是研究熱點。近紅外窗口（NIR-II，900-1700 nm）熒光由于活體對其光子的吸收和散射效應降低，在生物醫(yī)學成像和近紅外LED等方面得到研究。Ag基量子點（Ag2S和Ag2Se）是的不含有性重金屬元素的NIR-II熒光探針。以Ag2Se為例，它具有窄的直接帶隙（0.15 eV），是一種的NIR-II熒光材料。然而，Ag2Se中Ag離子的高遷移率導致大量的陽離子空位和晶體缺陷，導致Ag2Se量子點的PLQY小于1%。因此，研究一種新的策略來獲得高PLQY的Ag基量子點具有重要意義。

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