近紅外二區(qū)量子點(diǎn)（CdSeTe/CdS/ZnS）的制備方法

近紅外二區(qū)量子點(diǎn)描述：

水相合成高熒光量子產(chǎn)率的谷胱甘肽(GSH)包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn),并通過(guò)紫外光譜(UV)、熒光光譜(PL)、透射電鏡(TEM)和電子衍射(XRD)等手段對(duì)其光學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征?；贑dSeTe/ZnS量子點(diǎn)表面GSH對(duì)As~(3+)的性結(jié)合而導(dǎo)致量子點(diǎn)熒光猝滅作用,構(gòu)建了基于CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)作為熒光探針檢測(cè)痕量As~(3+)的新方法。探究了As~(3+)對(duì)CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)熒光猝滅的機(jī)理,As~(3+)在5.0~100.0μg/L濃度范圍內(nèi),CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度F_0/F與As~(3+)濃度之間呈的線性關(guān)系,線性相關(guān)系數(shù)為0.9984,檢測(cè)限為1.0μg/L。該量子點(diǎn)熒光分析方法可用于實(shí)際水樣中As~(3+)的檢測(cè)。

近紅外二區(qū)量子點(diǎn)制備方法：

CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點(diǎn)的制備方法,屬于半 導(dǎo)體納米發(fā)光材料領(lǐng)域.選用鎘的無(wú)機(jī)鹽作為包殼用Cd前體,(TMS)2S作為包殼用S前體,形成CdS殼前體儲(chǔ)備溶液,將CdS殼前體儲(chǔ)備溶 液與CdSeTe量子點(diǎn)溶液反應(yīng),獲得CdSeTe/CdS量子點(diǎn)溶液,選用鋅的無(wú)機(jī)鹽作為包殼用Zn前體,(TMS)2S作為包殼用S前體,形成ZnS 殼前體儲(chǔ)備溶液,將ZnS殼前體儲(chǔ)備溶液與CdSeTe/CdS量子點(diǎn)溶液反應(yīng),獲得CdSeTe/CdS/ZnS量子點(diǎn)溶液,后純化得到所述量子點(diǎn). 可獲得熒光發(fā)射發(fā)射波長(zhǎng)位于紅光-近紅外波段的量子點(diǎn),熒光量子產(chǎn)率高,粒徑分布均勻,.

其他說(shuō)明：

近紅外窗口（NIR-II，900-1700 nm）熒光由于活體對(duì)其光子的吸收和散射效應(yīng)大大降低，在生物醫(yī)學(xué)成像和近紅外LED等方面得到了的研究。Ag基量子點(diǎn)（Ag2S和Ag2Se）是的不含有性重金屬元素的NIR-II熒光探針。以Ag2Se為例，它具有窄的直接帶隙（0.15 eV），是一種的NIR-II熒光材料。然而，Ag2Se中Ag離子的高遷移率導(dǎo)致大量的陽(yáng)離子空位和晶體缺陷，導(dǎo)致Ag2Se量子點(diǎn)的PLQY小于1%。

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