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磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動，它們的運(yùn)動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。
磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動的足夠動量，離開靶被濺射出來。
產(chǎn)品優(yōu)勢：
多功能磁控濺射儀此系統(tǒng)包含大多數(shù)的真空薄膜鍍層技術(shù):熱蒸發(fā)(boat evaporation or crucible)，電子束蒸發(fā)，濺射沉積。
這樣我們在一臺設(shè)備上可以靈活運(yùn)用多種膜生長技術(shù),針對各種不同大小和形狀的樣品,非常方便切換沉積模式。腔體的開放式設(shè)計(jì),使得樣品大小從幾毫米到250毫米均可鍍層。樣品夾具可以輕松固定多個樣品并同時(shí)鍍膜。多功能磁控濺射儀此系統(tǒng)真空腔內(nèi)連接一個300mm寬的快速通道門,可以非常方便和快速地切換樣品和靶源。這對于薄膜制備研究機(jī)構(gòu),面對多種材料增加或改變沉積方式,轉(zhuǎn)換起來非常方便,并沒有任何空間限制。
相關(guān)產(chǎn)品
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