光纖傳感器有著靈敏度高，抗電磁干擾，抗氧化腐蝕能力強，易集成化等優(yōu)點。筱曉光子在前沿光學領(lǐng)域耕耘多年，擁有眾多光學產(chǎn)品，服務(wù)眾多科研機構(gòu)。今天筱曉光子給大家介紹用于泄漏型倏逝場傳感領(lǐng)域的D型光纖。

  側(cè)邊拋磨光纖/D形光纖  

一、倏逝波

光在兩種不同介質(zhì)中傳輸時，因為不同介質(zhì)的折射率不同，會存在折射現(xiàn)象，如果是從折射率大的介質(zhì)入射到折射率小的介質(zhì)時，會出現(xiàn)全反射現(xiàn)象，這時，在兩種介質(zhì)的交界面處，光其實并非像幾何光學作圖一樣直接在兩種介質(zhì)的界面*反射回原來的介質(zhì)中，而是發(fā)現(xiàn)一部分光滲透到折射率小的介質(zhì)中，并不同于普通的傳輸光的形式，而是一種隨深度的增加，光能量迅速呈指數(shù)衰減，隨水平方向改變，光相位發(fā)生變化的電磁波,稱為倏逝波。

平面波導中全反射時倏逝波的產(chǎn)生

二、光纖中的倏逝波場

光在光纖中傳播時, 會在芯層和包層的界面上形成倏逝場。光纖中由于包層為非吸收介質(zhì), 不會引起光纖中傳輸能量的減少。當把光纖拉錐或研磨成D形后，倏逝場會與被測物質(zhì)發(fā)生作用而引起能量的吸收，反映為光纖輸出光強的減少。通過檢測光纖輸出光強的大小就可以反推出被測物質(zhì)溶液濃度的大小，這就是傳感器的作用機理。

光纖倏逝場場強的大小可以表示為：

式中：Eo是倏逝場在界面處的能量強度；z是場點距界面的距離；dp是倏逝場的穿透深度,定義為當能量場的強度下降到Eo/e時，場點到界面的距離，公式表達如下

式中：λ是光在真空中傳播時的波長；n1為光纖纖芯折射率；n2為包層折射率；θ為光線的入射角。

光纖中全反射時纖芯中的駐波場與包層中的倏逝波場

光纖倏逝場傳感器預留了很薄的一部分包層，厚度dz要求小于倏逝場的穿透深度，倏逝場能量可以穿過這部分殘留的光纖包層與被測物質(zhì)接觸引起能量的吸收，進而實現(xiàn)傳感器的探測。分析證明傳感器的靈敏度與dz的大小密切相關(guān)，dz越小靈敏度越高。筱曉光子推出的D型光纖預留包層dz可達到5μm。

三、D型光纖倏逝場傳感器

D型光纖和錐形光纖是產(chǎn)生泄漏型倏逝場的主要結(jié)構(gòu)類型，傳感區(qū)域的包層都足夠薄，以至于倏逝波會透射出來，此時，不管是直接用不同濃度的溶液，還是通過生物反應(yīng)，改變傳感區(qū)域周圍的折射率，都會引起傳輸光功率的變化。D形光纖是由光纖側(cè)面拋磨掉接近一半的包層制作而成，其直徑還很大；而錐形光纖是通過光纖熔融拉錐而成，錐區(qū)足夠細，故D型光纖較錐形光纖更為堅固。

D型光纖截面圖

近年來，基于D型的光纖傳感器結(jié)構(gòu)已在不同的配置中使用去檢測單個或多個環(huán)境參數(shù)，包括RI、應(yīng)變溫度和磁場。D型光纖具有側(cè)面拋光光纖包層，從而提高了包層模態(tài)的易損性、機械性能好，靈敏度高。此外，D型光纖對折射率測量的靈敏度受檢測區(qū)域長度和拋光表面的深度的影響。

四、筱曉光子提供的D型光纖產(chǎn)品資料

依賴我司全光纖加工技術(shù)，筱曉光子目前能夠提供D形側(cè)邊拋磨光纖的加工定制服務(wù)5年*的邊拋工藝技術(shù)，使我們能夠為客戶精確地提供大批量的定制服務(wù)，客戶只需要提供拋磨的光纖類型，拋磨長度，拋磨深度。

技術(shù)優(yōu)勢：

我們利用他們的內(nèi)部技術(shù)研磨和拋光部分光纖；

一個良好的表面光潔度；

達到客戶確定的深度；

側(cè)拋光去除纖維的一部分，容易進入光纖的漸逝場。

產(chǎn)品特點：

高光學表面質(zhì)量；

空氣中低插入損耗；

支持多種適應(yīng)光纖定制；

不同的邊拋深度。

邊拋光纖的應(yīng)用：

光纖可定義長度和深度的襯底，以引導對漸逝場的訪問，具有幾乎*；

通過疊加結(jié)構(gòu)和折射率來指導波導特性；

通過動態(tài)修改的結(jié)構(gòu)尺寸，折射率或吸收，可以實現(xiàn)隨時間變化的操縱的傳播；

光纖元件與光纖傳感應(yīng)用。

參數(shù)指標：

定制參數(shù)：

光纖類型；

拋磨深度；

拋磨長度；

不同折射率條件下的衰減值可以自定義；

是否帶連接頭；

可以集成光學反射鏡（先鍍膜后進行邊拋）。

不同拋光深度的覆蓋折射率的衰減響應(yīng)-理論線和數(shù)據(jù)點