ElFys 提供一系列高性能黑硅光電二極管。該光電探測器是通過采用表面納米結(jié)構(gòu)技術(shù)與原子層沉積涂層相結(jié)合，大大提高了光收集效率。

在 200 nm 至 950 nm 范圍內(nèi)具有光響應，外量子效率≥ 96%（通過德國國家計量研究院PTB 認證）。

此光電探測器在紫外波段也同樣具有*的量子效率，比普通的硅光電二極管高出兩倍以上。

黑硅表面與定制的原子層沉積涂層相結(jié)合，極大地提高了感應角度范圍內(nèi)的表面吸收率，具有*吸光度的超寬感應角度（> 95% @ 60°）

ElFys 提供SM和PD兩大系列的標準產(chǎn)品，也可以針對不同應用需求進行定制?？梢造`活地提供光電二極管芯片和*封裝的光電探測器解決方案。

SM系列黑硅光電探測器主要特點：
· 在多波長下具有出色的光敏性：綠色、紅色和 NIR
· 低暗電流
· 緊湊型 SMD 封裝
典型應用：
· 健康監(jiān)測
· 可穿戴電子產(chǎn)品

PD系列黑硅光電探測器主要特點：
· 增強的廣譜光敏性：UV、Vis 和 NIR
· 優(yōu)化的電氣特性
· TO-can 封裝*大程度保護環(huán)境

典型應用：
· 高精度測光
· 分析儀器
· X射線成像

* 可根據(jù)客戶要求為所有產(chǎn)品提供定制封裝。
 
ElFys, Inc. 成立于 2017 年秋季，旨在將一組大學研究人員開創(chuàng)的光電探測器技術(shù)創(chuàng)新商業(yè)化。公司利用了芬蘭埃斯波Micronova 納米制造中心先進的加工設施。該設施包含了2600 平方米 的兼容CMOS技術(shù)的設施，適用于研發(fā)和半批量生產(chǎn)。
EIFys Inc. 由阿爾托大學的一個研究團隊組成，是早期把太陽能電池新的研究結(jié)結(jié)合到光探測技術(shù)的公司，由此成功的把黑硅技術(shù)應用到光感應技術(shù)中。該技術(shù)使得光學探測器的性能大幅提升，可以捕到獲每一束光。
 
公司的合作伙伴在硅光伏和相關研究方面也擁有豐富的專業(yè)知識。太陽能電池和光電二極管的結(jié)構(gòu)和工作原理非常相似，因此太陽能電池的創(chuàng)新通常可以應用于光電二極管，反之亦然。表面鈍化和缺陷工程等主題是制造過程的組成部分，正是這些制造過程，幫助我們實現(xiàn)了光電二極管的響應。