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進(jìn)口氫氣發(fā)生器的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)介紹
為什么會(huì)使用進(jìn)口氫氣發(fā)生器？化學(xué)氣相沉積法是利用氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的物質(zhì)在固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，從而形成所需要的固態(tài)薄膜或涂層的過(guò)程，是制備無(wú)機(jī)材料的方法。其中，用氫氣還原鹵化物來(lái)制備各種金屬或多晶硅薄膜是尤為常用的化學(xué)反應(yīng)，此還原反應(yīng)的方法應(yīng)用范圍廣泛，可制備單晶、多晶以及非晶薄膜，另外也容易摻雜。作為反應(yīng)中*的還原氣體，氫氣在CVD反應(yīng)中扮演著極其重要的作用。
傳統(tǒng)的方法是使用氫氣鋼瓶作為氫氣氣源，這種方式不僅使用起來(lái)不方便，氫氣是易燃易爆氣體，在運(yùn)輸過(guò)程中還存在極大的安全隱患。因此，氫氣發(fā)生器便成為了代替氫氣鋼瓶的*。如今，進(jìn)口氫氣發(fā)生器已廣泛應(yīng)用于CVD實(shí)驗(yàn)，是化學(xué)氣相沉積應(yīng)用的可靠且安全的氫氣氣源。
進(jìn)口氫氣發(fā)生器應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
1.高純度：作為反應(yīng)中*的還原氣體，高純度氫氣在CVD反應(yīng)中扮演著極其重要的作用。氫氣中微量氧或水蒸氣等雜質(zhì)會(huì)對(duì)沉積過(guò)程產(chǎn)生很大影響，當(dāng)有氧存在時(shí)，沉積物的晶粒劇烈生長(zhǎng)，并伴有分層現(xiàn)象出現(xiàn)。氫氣發(fā)生器采用三重過(guò)濾技術(shù)，所產(chǎn)氫氣純度>99.9999%，氧氣含量<1ppm，水含量<1ppm，過(guò)濾技術(shù)及氫氣純度都為市場(chǎng)優(yōu)先選擇。
2.安全性：氫氣發(fā)生器因其即產(chǎn)即用、按需供給的特點(diǎn)，成為極為安全、可靠的氫氣氣源。采用PEM質(zhì)子交換膜電解純水的原理產(chǎn)生高純氫氣，無(wú)需添加堿液，即插即用，使用方便，而且具有開(kāi)機(jī)自檢、壓力報(bào)警等特性，全面保障發(fā)生器的安全性。
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