酞菁氧釩(VOPc),酞菁有機(jī)半導(dǎo)體材料
酞菁氧釩(VOPc)分 子及其納米簇在高定向石墨(HOPG)表面的自組裝.在室溫下,將HOPG浸入含有VOPc納米簇(2-20nm)和VOPc分子(約為10-3g·L- 1)的1,2-二氯乙烷膠體溶液中,VOPc分子在HOPG表面自組裝形成單分子層(SAM),VOPc納米簇在上述SAM表面進(jìn)行尺寸選擇性自組裝.組 裝于VOPc單分子層表面的納米簇的粒徑為(4.60±0.47)nm.掃描隧道顯微鏡研究表明,隨著酞菁氧釩膠體溶液濃度由2.5×10-2g·L-1 增至2.5×10-1g·L-1,組裝于SAM表面的VOPc納米粒子的數(shù)量逐漸增多,終形成稠密的單層粒子組裝體.提供的自組裝結(jié)構(gòu)及方法在發(fā)展 光電功能體系等方面具有潛在應(yīng)用價(jià)值
不同修飾襯底對(duì)酞菁氧釩(VOPc)有機(jī)薄膜晶體管的影響.通過層表面的靜態(tài)接觸角,酞菁氧釩薄膜的AFM圖譜以及XRD圖譜來分析判定不同自組裝修飾層對(duì)器件I-V性質(zhì)的影響.影響VOPc薄膜生長和OTFTs器件性能的原因既包含界面的親疏水性能,也包括有機(jī)硅烷中烷基鏈的長度及端基結(jié)構(gòu).修飾層中不含鹵族元素的長鏈基團(tuán)能夠很好地隔絕VOPc與層之間的相互作用,并降低層表面的陷阱濃度,利于形成大晶粒尺寸的,平整連續(xù)的,高取向度的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜,從而內(nèi)部載流子的傳輸效率.這些結(jié)論的得出對(duì)今后有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的生長,有機(jī)薄膜晶體管性能的以及器件的封裝具有很好的指導(dǎo)意義.
鄰苯二甲酰亞氨基酞菁鋅 (ZnPcS2P2)
四特丁基酞菁(BuPc)
四特丁基酞菁鋅(ZnBuPc)
四丙氧基酞菁鋅(ZnPrPc)
2,9,16,23-四聯(lián)苯基金屬(Fe,Co,Ni,Cu和Zn)酞菁
磺化鋁酞菁(AISPC)
四—4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁銅(tapCuPc)
聚冠醚-酞菁雙金屬配合物(P-BsdB-18-C-6-Pe(Cu-Na))
聚酞菁銅-冠醚鈉雙金屬配合物(P-BsdB-18-C-6-Pc(Cu-Na))
溫馨提醒:供科研,不能用于人體實(shí)驗(yàn)
以上資料來自西安齊岳生物小編ssl2022.1.21
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。