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SiC與其他半導體材料的性能比較
在SiC材料的研究與開發(fā)中,傅立葉變換紅外光譜技術(shù)(FT-IR)是一種簡單而有效的研究其各種性能的工具。它可以用于測定摻雜濃度、外延層厚度或聲子光譜,對晶體結(jié)構(gòu)和質(zhì)量提供有價值的信息。基于傅立葉變換紅外的光致發(fā)光光譜技術(shù)(FT-PL)可以提供額外的信息,如能帶結(jié)構(gòu)和電荷載流子的細節(jié)。透射光譜技術(shù)可以研究半導體的帶隙、激子和其他電子特性。此外,碳化硅雜質(zhì)和缺陷分析也是材料開發(fā)和質(zhì)量控制的重要步驟。
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