近紅外二區(qū)發(fā)射的CuInSe2量子點(diǎn)齊岳生物實(shí)驗(yàn)自產(chǎn)
近紅外二區(qū)發(fā)射的CuInSe2量子點(diǎn)齊岳生物實(shí)驗(yàn)自產(chǎn)
CuInSe2量子點(diǎn)(QDs)是重要的無鎘熒光探針之一,通常表現(xiàn)出較低的熒光強(qiáng)度,表明大量吸收的光子能量會(huì)隨著熱量而損失。在中,我們旨在CuInSe2量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度,并研究其熱耗散產(chǎn)生的光聲(PA)信號(hào)。采用Zn摻雜和ZnSe殼層生長(zhǎng)兩種策略合成了Cu-In-Zn-Se/ZnSe量子點(diǎn)。結(jié)果發(fā)現(xiàn),鋅濃度存在一個(gè)上限,過該上限,熒光強(qiáng)度開始降低。此外,在高濃度的ZnSe前驅(qū)體中,由于過量的Zn擴(kuò)散,ZnSe/ZnSe量子點(diǎn)中的Cu發(fā)射峰也發(fā)生了藍(lán)移。為了制備雙模熒光和PA成像探針,用PEG修飾聚(馬來酸酐-alt-1-十八烯)(PMAO)涂覆在量子點(diǎn)上,導(dǎo)致熒光輕微降低。在HeLa細(xì)胞上進(jìn)行細(xì)胞標(biāo)記以證明這些探針在熒光成像中的效用。我們進(jìn)一步測(cè)量了Cu-in-Zn-Se/ZnSe/PMAO-g-PEG納米顆粒的體外PA成像能力,其顯示出過1.0 mg/mL的PA信號(hào)。體外PA成像表明,除了的熒光探針之外,Cu-in-ZnSe/ZnSe/PMAO-g-PEG納米顆粒也是一種潛在的PA成像對(duì)比劑。
更多產(chǎn)品目錄
鏈霉親和素修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)
CdSe硒化鎘量子點(diǎn)
CdSe硒化鎘量子點(diǎn)修飾DSPE-PAA
三乙醇胺修飾CdSe量子點(diǎn)
β-環(huán)糊精修飾CdSe量子點(diǎn)
葡聚糖修飾CdSe量子點(diǎn)
聚乳酸納米粒修飾CdSe量子點(diǎn)
Ag摻雜CdSe硒化鎘量子點(diǎn)
稀土Eu摻雜CdSe量子點(diǎn)(Eu^3+/CdSe)
Ag納米顆粒/CdSe量子點(diǎn)復(fù)合物
CdSe量子點(diǎn)/氧化石墨烯復(fù)合物
Co鈷摻雜CdSe量子點(diǎn)
硫化鎘CdS量子點(diǎn)
In摻雜CdS量子點(diǎn)
Mn摻雜CdS量子點(diǎn)
鐠摻雜CdS量子點(diǎn)
錳銅摻雜硫化鎘CdS量子點(diǎn)
Cu摻雜ZnCdS量子點(diǎn)
Cu摻雜ZnInS量子點(diǎn)
稀土Yb摻雜水溶性CdS量子點(diǎn)
CdS硫化鎘量子點(diǎn)修飾TiO2納米顆粒
L-半修飾CdS量子點(diǎn)
巰基丙酸修飾的水溶性CdS/ZnS量子點(diǎn)
十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)修飾ZnO/CdS量子點(diǎn)(QDs)
巰基乙酸修飾殼核型CdTe/CdS量子點(diǎn)(TGA-CdTe/CdS QDs)
石墨烯/CdS量子點(diǎn)復(fù)合材料
碲化鎘CdTe量子點(diǎn)
巰基丙酸修飾CdTe碲化鎘量子點(diǎn)
CdTe量子點(diǎn)修飾ZnO納米棒
單-(6-巰基)-β-環(huán)糊精修飾CdTe量子點(diǎn)(mono-6-thio-β-CD-CdTeQDs)
巰基乙酸修飾CdTe量子點(diǎn)(TGA-CdTeQDs)
牛血清蛋白修飾水溶性碲化鎘(CdTe)量子點(diǎn)(BSA/CdTe)
谷胱甘肽修飾的CdTe量子點(diǎn)(GSH/CdTe)
L-半修飾CdTe量子點(diǎn)
PEG修飾CdTe碲化鎘量子點(diǎn)
溶菌酶修飾CdTe碲化鎘量子點(diǎn)
巰基琥珀酸修飾CdTe碲化鎘量子點(diǎn)(MSA/CdTe)
CLV3十二肽修飾CdTe量子點(diǎn)
錳修飾CdTe量子點(diǎn)
雙硫腙包覆CdTe碲化鎘量子點(diǎn)
聚乙烯亞胺功能化CdTe量子點(diǎn)
巰基吡啶功能化CdTe量子點(diǎn)
多壁碳納米管-CdTe量子點(diǎn)復(fù)合材料
金納米顆粒-碲化鎘量子點(diǎn)材料(AuNPs/CdTe QDs)
銀納米粒子-CdTe量子點(diǎn)復(fù)合材料(AgNPs/CdTe QDs)
CdTe量子點(diǎn)修飾g-C3N4納米片
Ce摻雜水溶性CdTe量子點(diǎn)
二硫化鉬MoS2量子點(diǎn)
藍(lán)色熒光二硫化鉬量子點(diǎn)(MoS2QDs)
L-半功能化MoS2熒光量子點(diǎn)
MoS2量子點(diǎn)/NH2-MIL-125復(fù)合材料
二硫化鉬量子點(diǎn)/石墨相碳化氮量子點(diǎn)復(fù)合材料MoS2QDs/g?C3N4
金納米粒子/二硫化鉬量子點(diǎn)復(fù)合材料AuNPs@MoS2-QDs
乙二胺功能化MoS2熒光量子點(diǎn)
二硫化鉬量子點(diǎn)修飾二氧化鈦納米管,納米片
MoS2量子點(diǎn)負(fù)載花球狀CuInS2
二硫化鎢/二硫化鉬量子點(diǎn)
MoS2量子點(diǎn)摻雜聚苯乙烯材料
二硫化鉬量子點(diǎn)-氧化石墨烯復(fù)合材料GO/MoS2
四氧化三鐵修飾二硫化鉬量子點(diǎn)Fe3O4@MoS2量子點(diǎn)
二硫化鉬改性聚酰亞胺
錳摻雜二硫化鉬量子點(diǎn)
Co摻雜的MoS2二硫化鉬量子點(diǎn)
Mn摻雜的ZnS量子點(diǎn)
透明質(zhì)酸修飾AgInS2/ZnS量子點(diǎn)
CdSe/ZnS量子點(diǎn)摻雜聚甲基丙烯酸甲酯材料
廠家:西安齊岳生物科技有限公司
以上資料來自小編axc,2022.04.02
以上文中提到的產(chǎn)品用于科研,不能用于人體。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。