低聚倍半硅氧烷(POSS)修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點

采用多種多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點，并通過溶液共混法制備了透明的量子點/PVB復合材料。同時，通過紅外光譜(IR)、透射電鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、紫外光譜(UV)、熒光光譜(PL)等測試手段對POSS修飾的量子點以及復合材料的結構和熒光性質進行了詳細的研究?！?/span>

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點的制備方法

將量的POSS-SH和4ml非極性有機溶劑加入到單口燒瓶中，置于搖床中振蕩，使POSS-SH*溶解。隨后，將4mlCdSe/CdS/ZnS核殼量子點加入到上述溶液中，室溫下中速振蕩8h。反應結束后避光保存。

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點的實驗原理

基于巰基與金屬之間的相互作用，用巰基化合物對量子點進行表面修飾是一-種的方法。本章使用POSS-SH與CdSe/CdS/ZnS核殼量子點進行配體交換，制備了QDs@POSS-SH，如圖2-2所示。

兩種不同發(fā)射波長的CdSe/CdS/ZnS及其對應QDs@POSS-SH在日光和紫外線照射下的宏觀狀態(tài)如圖2-3所示(未修飾和經POSS-SH修飾的量子點的濃度相同)。在紫外光照射下，CdSe/CdS/ZnS及其對應QDs@POSS-SH發(fā)射出某些波長的光，分別為紅色和。這是因為量子點由于量子限域效應而使電子和空穴在三個空間方向上的運動，受激后發(fā)出熒光。

兩種不同發(fā)射波長的CdSe/CdS/ZnS和QDs@POSS-SH的熒光光譜如圖2-7所示。紅光量子點和黃光量子點的發(fā)射波長分別為630nm和580nm，半高峰寬(FWHM)均為28nm。經POSS-SH修飾后，量子點的熒光強度10%。

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廠家：西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.04.12

以上文中提到的產品用于科研，不能用于人體。