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全譜ICP光譜儀的基本原理和產(chǎn)品配置特點(diǎn)說明
全譜ICP光譜儀采用標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)，采用全數(shù)字化技術(shù)，替代龐大的光電倍增管（PMT）模擬技術(shù)，采用真空光室設(shè)計(jì)及全數(shù)字激發(fā)光源、CMOS檢測(cè)器，高速數(shù)據(jù)讀出系統(tǒng)，使儀器具有較高的性能、較低檢出線、長(zhǎng)期的穩(wěn)定性和重復(fù)性。
全譜ICP光譜儀的基本原理：
根據(jù)被測(cè)元素的原子或離子，在光源中被激發(fā)而產(chǎn)生特征輻射，通過判斷這些特征輻射的存在及其強(qiáng)度大小，對(duì)各個(gè)元素進(jìn)行定性和定量分析。
ICP發(fā)射光譜分析過程主要分為三步，即發(fā)射、分光和檢測(cè)。
利用等離子體發(fā)射光源（ICP）使式樣蒸發(fā)氣化、離解或分解成原子態(tài)，原子可能進(jìn)一步電離成離子態(tài)，原子及離子在光源中激發(fā)發(fā)光；
利用光譜儀將光源發(fā)射的光分解為按波長(zhǎng)排列的光譜；
利用光電器件檢測(cè)光譜，按測(cè)定得到的波長(zhǎng)對(duì)式樣進(jìn)行定性分析，按發(fā)射強(qiáng)度進(jìn)行定量分析。
全譜ICP光譜儀的產(chǎn)品配置及特點(diǎn)：
1、采用獨(dú)立特點(diǎn)設(shè)計(jì)的真空光室可準(zhǔn)確測(cè)定非金屬元素中C、P、S以及各種合金元素含量，測(cè)定結(jié)果準(zhǔn)確，重現(xiàn)性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性較佳。
2、獨(dú)立特點(diǎn)的真空光學(xué)室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使真空室容積更小，抽真空速度不到普通光譜儀的一半。將入射窗與真空室分離使入射窗日常清洗維護(hù)方便快捷。
3、光學(xué)系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行譜線掃描，自動(dòng)光路校準(zhǔn)，確保譜線接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作。
4、獨(dú)立特點(diǎn)的激發(fā)臺(tái)及氬氣氣路設(shè)計(jì)，大大降低了氬氣使用量。靈活的樣品夾設(shè)計(jì)，以滿足客戶現(xiàn)場(chǎng)的各種形狀大小的樣品分析。
5、不增加硬件設(shè)施的情況下，即可實(shí)現(xiàn)多基體分析。相比光電倍增管光譜儀可大大降低客戶使用成本及使用范圍。
6、采用國(guó)際較先進(jìn)的噴射電及技術(shù)，在激發(fā)狀態(tài)下，電及周圍會(huì)形成氬氣噴射氣流，這樣在激發(fā)過程中激發(fā)點(diǎn)周圍不會(huì)與外界空氣接觸，提高激發(fā)精度。
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