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太陽能電池分析技術(shù)(8):電容-電壓(C-V)

來源:巨力光電(北京)科技有限公司   2022年05月20日 17:00  
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池的不同光電表征技術(shù),同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù),例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、參雜濃度、內(nèi)建電場(chǎng)、陷阱密度、阻抗、理想因子等。


電容電壓(CV)
在電容電壓(CV)測(cè)量中,阻抗是在恒定頻率下變化偏置電壓的測(cè)量??筛鶕?jù)圖1公式計(jì)算電容。為了測(cè)量CV,通常使用低于50 kHz的頻率。在大多數(shù)類似二極管的器件中,CV在正向電壓處出現(xiàn)峰值,該峰值的位置通常與探測(cè)頻率、器件厚度無關(guān)。峰值電壓通常小于內(nèi)建電壓,可以將其視為傳導(dǎo)開始的有效值。電容峰值的高度和電壓與載流子注入(注入勢(shì)壘和內(nèi)建電場(chǎng))有關(guān)。


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圖1

電容的增加是由空間電荷效應(yīng)引起的。當(dāng)電壓增加時(shí),電荷被注入并且耗盡層寬度減小 - 導(dǎo)致電容增加。在一定電壓導(dǎo)通開始后,電容再次降低,甚至可能變?yōu)樨?fù)值,負(fù)電容可能是由復(fù)合或自發(fā)熱引起的。

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圖2. CV典型曲線


CV可用于監(jiān)測(cè)電荷注入勢(shì)壘的變化,例如在degradation過程中。在雙層器件中,CV 會(huì)趨于平緩穩(wěn)定態(tài)。在一定電壓下,電荷載流子被注入兩層中的一層,當(dāng)一層充滿載流子時(shí),其余層會(huì)出現(xiàn)的平板電容效應(yīng),導(dǎo)致更高的電容穩(wěn)定態(tài),直到電荷也被注入第二層;只要在不同電壓下注入兩層,這種效應(yīng)就可以被觀察到。具有偶激子的材料,在雙層器件中產(chǎn)生不同的電子和空穴注入電壓。使用CV,可以確定這些材料的宏觀polar sheet charge。

圖3 顯示了所有情況的CV模擬。只有在電荷注入發(fā)生變化的情況下峰值電壓才會(huì)發(fā)生顯著變化。"non-aligned contact"(a)具有較低的內(nèi)建電壓,導(dǎo)致峰值電壓降低。"extraction barrier"(a)具有相同的內(nèi)建電壓,但需要克服額外的勢(shì)壘,因此CV峰值被轉(zhuǎn)移到更高的電壓。在所有其他情況下,僅觀察到CV峰值電壓的輕微變化。因此,CV似乎適合研究電荷注入和內(nèi)建電壓。

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圖3. 表 1 中所有情況下的電容-電壓模擬,無偏置光。電容C根據(jù)圖1 公式計(jì)算。頻率保持在10 KHZ不變。(F) 電容達(dá)到最大值時(shí)的電壓

電容-電壓測(cè)量的Mott-Schottky分析

Mott-Schottky分析是一種應(yīng)用于CV測(cè)量的常用方法,用于提取摻雜濃度和內(nèi)建電壓。


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圖4


其中C為電容,S為器件面積,ε為介電常數(shù),q為單位電荷,NA體內(nèi)摻雜密度,Vbi是內(nèi)建電壓。數(shù)量 1/C2 與電壓成線性關(guān)系,可以確定摻雜密度 NA和內(nèi)建電壓。Mott-Schottky分析多用于較厚且高度摻雜的器件。


以上所有測(cè)試數(shù)據(jù)來自設(shè)備:Paios

以上所有模擬仿真使用軟件:Setfos



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