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原理上講，兩點：氣場和磁場,磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。
0.4Pa的氣場情況是濺射速率最高的情況，氣場變化，壓強變大和變小都會影響濺射速率。
磁場大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。
穩(wěn)定住氣場和磁場，濺射速率也將隨之穩(wěn)定。
在實際情況下，氣場穩(wěn)定，需要設計布氣系統(tǒng)，最好將布氣系統(tǒng)分級布置，保障鍍膜機腔體內不同位置的進氣量相同，同時，布氣系統(tǒng)、靶材、基材等要遠離鍍膜機的抽氣口。
需要穩(wěn)定磁場，用高斯計測量靶材表面磁場強度，由于磁場線本身是閉合曲線，靶材磁場回路兩端磁場強度自然比中間位置強，可以選擇用弱磁鐵，同時，基材要避開無法調整的磁場變化較大的部分。
另外，在設備結構設計方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉、直線運行的話，也要同軸旋轉、直線運行，保障沉積到。
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