原理上講,兩點:氣場和磁場,磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材,濺射出粒子沉積到基材上,整體靶材的電壓幾乎一致,不影響濺射速率。
0.4Pa的氣場情況是濺射速率最高的情況,氣場變化,壓強變大和變小都會影響濺射速率。
磁場大,束縛的自由電子增多,濺射速率增大,磁場小,束縛的自由電子就少,濺射速率降低。
穩(wěn)定住氣場和磁場,濺射速率也將隨之穩(wěn)定。
在實際情況下,氣場穩(wěn)定,需要設計布氣系統(tǒng),最好將布氣系統(tǒng)分級布置,保障鍍膜機腔體內不同位置的進氣量相同,同時,布氣系統(tǒng)、靶材、基材等要遠離鍍膜機的抽氣口。
需要穩(wěn)定磁場,用高斯計測量靶材表面磁場強度,由于磁場線本身是閉合曲線,靶材磁場回路兩端磁場強度自然比中間位置強,可以選擇用弱磁鐵,同時,基材要避開無法調整的磁場變化較大的部分。
另外,在設備結構設計方面,磁控濺射過程中,需要基材與靶材保持同軸,如果旋轉、直線運行的話,也要同軸旋轉、直線運行,保障沉積到。
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