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透射電鏡原位加熱/電學(xué)樣品桿，基于MEMS原位芯片技術(shù)，通過更換多種類型的加熱芯片或電學(xué)芯片，在透射電鏡中實現(xiàn)對樣品加熱或加電的原位功能。
透射電鏡樣品桿的分類
1、氣氛桿：
氣氛桿能夠突破現(xiàn)有透射電鏡對于真空度要求的限制，在一個*封閉的氣體系統(tǒng)中，研究透射電鏡內(nèi)的氣相反應(yīng)過程，如高分辨下觀察催化劑與氣體的反應(yīng)情況。并結(jié)合控溫模塊，能夠在特定的壓力和溫度下動態(tài)的，實時的觀察原子級別的固氣反應(yīng)。同時，該樣品桿可以真正在透射電鏡中進(jìn)行密閉腔室的EDS元素分析。
可用氣體種類：氫氣、氮氣、氧氣、氬氣、氨氣等多種氣體。
氣壓范圍：0-1atm;
溫度范圍：1-1000℃;
應(yīng)用領(lǐng)域：原位氣相催化反應(yīng)、氣相氧化還原反應(yīng)過程等。
2、加熱桿：
加熱桿的電熱電子芯片采用*的加熱技術(shù)，在絕緣層上添加了額外電極圖案。這種分離電刺激的設(shè)計，減少了電流的泄漏和保持了信號的完整性，從而能夠在一個穩(wěn)定的平臺上同時進(jìn)行試樣的加熱和電化學(xué)表征。
電學(xué)表征：透射電鏡的電學(xué)測試面臨的Zda挑戰(zhàn)是：表征納米尺度樣品的電學(xué)性能時，所需要的電流非常小，通常小于1nA，并且必須被精確的加載和測量以確保結(jié)果的精確性。分析測試ZX配備的Fusion樣品桿可提供幾pA的測量，靈敏度達(dá)到aA。擁有30多種不同的電學(xué)芯片可供選擇，樣品支撐區(qū)域適合用于每一種應(yīng)用。
電熱性能表征：電熱芯片具有特制的SiC加熱器，使研究者能夠在特定溫度下進(jìn)行電學(xué)實驗。
溫度范圍：0-1200℃(電熱實驗時為900℃);
電流范圍：0-100mA;
電壓范圍：0-55V;
應(yīng)用研究領(lǐng)域：真空條件下的熱反應(yīng)過程(如材料相變)以及電學(xué)下的氧化還原反應(yīng)等。
3、液體桿：
液體桿能在*液體的環(huán)境下對試樣進(jìn)行動態(tài)成像和電化學(xué)研究，能在高分辨率下研究和觀察液體樣品，可以實時的記錄納米尺度下的動態(tài)環(huán)境，如生物礦化。研究者可以探索材料的基本物理性能和優(yōu)化電化學(xué)系統(tǒng)，如進(jìn)行循環(huán)伏安和其他電化學(xué)實驗。同時配備的加熱模塊，可以使透射電鏡樣品桿直接加熱液體。
液體加熱范圍：0-100℃;
電流范圍：60pA-600mA;
電壓范圍：0-11V;
試樣頻率：10µHz–1MHz;
應(yīng)用研究領(lǐng)域：如電池、燃料電池、金屬有機催化和防腐涂層等。
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