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GB/T 4937半導體器件 機械和氣候試驗方法下載目錄導航

來源:廣東德瑞檢測設備有限公司   2022年11月18日 10:30  

GB/T 4937《半導體器件 機械和氣候試驗方法》

4937.1-2006.png


適用于半導體器件(分立器件和集成電路),該標準總共分為45部分,目前我國推薦使用的有17部分,其他參考IEC60749。

我國推薦使用的有17部分(直接點擊,可下載)

第1部分∶GB/T4937.1-2006半導體器件 機械和氣候試驗方法 第1部分∶總則

第2部分∶GB/T4937.2-2006半導體器件 機械和氣候試驗方法 第2部分∶低氣壓;

第3部分∶GB/T4937.3-2012半導體器件 機械和氣候試驗方法 第3部分∶外部目檢;

第4部分∶GB/T4937.4-2012半導體器件 機械和氣候試驗方法 第4部分∶強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(HAST);

第11部分∶GB/T4937.11-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第11部分∶快速溫度變化 雙液槽法;

第12部分∶GB/T4937.12-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第12部分∶掃頻振動;

第13部分∶GB/T4937.13-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第13部分∶鹽霧

第14部分∶GB/T4937.14-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第14部分∶引出端強度(引線牢固性);

第15部分∶GB/T4937.15-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第15部分∶通孔安裝器件的耐焊接熱;

第17部分∶GB/T4937.17-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第17部分∶中子輻照

第18部分∶GB/T4937.18-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第18部分∶電離輻射(總劑量);

第19部分∶GB/T4937.19-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第19部分∶芯片剪切強度;

第20部分∶GB/T4937.20-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第20部分∶塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響;

第20-1部分:GB/T4937.201-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第20-1部分∶對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作、包裝、標志和運輸;

第21部分∶GB/T4937.21-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第21部分∶可焊性

第22部分∶GB/T4937.22-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第22部分∶鍵合強度;

第30部分∶GB/T4937.30-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第30部分∶非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理;

IEC60749部分參考

第5部分∶IEC 60749-5半導體器件 機械和氣候試驗方法 第5部分∶穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗;

第6部分∶IEC 60749-6半導體器件 機械和氣候試驗方法 第6部分∶高溫貯存

第7部分∶IEC 60749-7半導體器件 機械和氣候試驗方法 第7部分∶內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析;

第8部分∶IEC 60749-8半導體器件 機械和氣候試驗方法 第8部分∶密封

第9部分∶IEC 60749-9半導體器件 機械和氣候試驗方法 第9部分∶標志耐久性

第10部分∶IEC 60749-10半導體器件 機械和氣候試驗方法 第10部分∶機械沖擊;

第16部分∶IEC 60749-16半導體器件 機械和氣候試驗方法 第16部分∶粒子碰撞噪聲檢測(PIND);

第23部分∶IEC 60749-23半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分∶高溫工作壽命

第24部分∶IEC 60749-24半導體器件 機械和氣候試驗方法 第24部分∶加速耐濕 無偏置強加速應力試驗(HSAT);

第25部分∶IEC 60749-25半導體器件 機械和氣候試驗方法 第25部分∶溫度循環(huán)

第26部分∶IEC 60749-26半導體器件 機械和氣候試驗方法 第26部分∶靜電放電(ESD)敏感度試驗 人體模型(HBM);

第27部分∶IEC 60749-27半導體器件 機械和氣候試驗方法 第27部分∶靜電放電(ESD)敏感度試驗 機械模型(MM);

第28部分∶IEC 60749-28半導體器件 機械和氣候試驗方法 第28部分∶靜電放電(ESD)敏感度試驗 帶電器件模型(CDM) 器件級;

第29部分∶IEC 60749-29半導體器件 機械和氣候試驗方法 第29部分∶門鎖試驗;

第31部分∶IEC 60749-31半導體器件 機械和氣候試驗方法 第31部分∶塑封器件的易燃性(內部引起的);

第32部分∶IEC 60749-32半導體器件 機械和氣候試驗方法 第32部分∶塑封器件的易燃性(外部引起的);

第33部分∶IEC 60749-33半導體器件 機械和氣候試驗方法 第33部分∶加速耐濕 無偏置高壓蒸煮;

第34部分∶IEC 60749-34半導體器件 機械和氣候試驗方法 第34部分∶功率循環(huán);

第35部分∶IEC 60749-35半導體器件 機械和氣候試驗方法 第35部分∶塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查;

第36部分∶IEC 60749-36半導體器件 機械和氣候試驗方法 第36部分∶恒定加速度

第37部分∶IEC 60749-37半導體器件 機械和氣候試驗方法 第37部分∶采用加速度計的板級跌落試驗方法;

第38部分∶IEC 60749-38半導體器件 機械和氣候試驗方法 第38部分∶半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法;

第39部分∶IEC 60749-39半導體器件 機械和氣候試驗方法 第39部分∶半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量;

第40部分∶IEC 60749-40半導體器件 機械和氣候試驗方法 第40部分∶采用張力儀的板級跌落試驗方法;

第41部分∶IEC 60749-41半導體器件 機械和氣候試驗方法 第41部分∶非易失性存儲器件的可靠性試驗方法;

第42部分∶IEC 60749-42半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分∶溫度和濕度貯存;

第43部分∶IEC 60749-43半導體器件 機械和氣候試驗方法 第43部分∶集成電路(IC)可靠性鑒定方案指南;

第44部分∶IEC 60749-44半導體器件 機械和氣候試驗方法 第44部分∶半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法。


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