SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。

　　近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球重要的半導體功率器件封測基地。

　　目前常用的SiC碳化硅功率半導體器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金屬氧化物半導體場效應(yīng)管)，其中碳化硅mosfet器件屬于單級器件，開通關(guān)斷速度較快，對柵極可靠性提出了更高的要求，而由于碳化硅材料的物理特性，導致柵級結(jié)構(gòu)中的柵氧層缺陷數(shù)量較多，致使碳化硅mosfet器件柵極早期失效率相比硅mosfet器件較高，限制了其商業(yè)化發(fā)展。為提高碳化硅mosfet器件柵級工作壽命，需要對碳化硅功率半導體器件進行基于柵極的測試，在將碳化硅功率半導體器件壽命較低的器件篩選出來，提高碳化硅功率半導體器件的使用壽命。

　　SiC功率器件的電學性能測試主要包括靜態(tài)、動態(tài)、可靠性、極限能力測試等，其中：

　?。?）靜態(tài)測試：通過測試能夠直觀反映 SiC 器件的電學基本性能，可簡單評估器件的性能優(yōu)劣。

　　各種靜態(tài)參數(shù)為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)、同時在功率器件檢測維修中發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。小編推薦一款SiC靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)NSAT-2000，該設(shè)備可測試各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的靜態(tài)參數(shù)，系統(tǒng)提供與機械手、探針臺、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。

　?。?）動態(tài)測試：主要測試 SiC 器件在開通關(guān)斷過程中的性能。

　　通常我們希望的功率半導體器件的開關(guān)速度盡可能得高、開關(guān)過程段、損耗小。但是在實際應(yīng)用中，影響開關(guān)特性的參數(shù)有很多，如續(xù)流二極管的反向恢復(fù)參數(shù)，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對于此類參數(shù)的測試，變得尤為重要。開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準確的測量功率半導體器件的開關(guān)性能具有極其重要的意義。小編推薦一款SiC動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)EN-1230A，該設(shè)備可測試各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的動態(tài)參數(shù)，如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關(guān)斷延遲時間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復(fù)時間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、柵極串聯(lián)等效電阻、雪崩耐量等。

　?。?）可靠性測試：考量 SiC 器件是否達到應(yīng)用標準，是商業(yè)化應(yīng)用的關(guān)鍵。

　　半導體功率器件廠家在產(chǎn)品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產(chǎn)品的長期耐久性能。

　　（4）極限能力測試：如浪涌電流測試，雪崩能量測試

　　浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。

　　雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。推薦ENX2020A雪崩能量測試系統(tǒng)，能夠準確快速的測試出SiC·二極管、SiC·MOSFET等半導體器件的雪崩耐量。

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