国产精品视频一区二区三区四,亚洲av美洲av综合av,99国内精品久久久久久久,欧美电影一区二区三区电影

產(chǎn)品推薦:氣相|液相|光譜|質譜|電化學|元素分析|水分測定儀|樣品前處理|試驗機|培養(yǎng)箱


化工儀器網(wǎng)>技術中心>解決方案>正文

歡迎聯(lián)系我

有什么可以幫您? 在線咨詢

SiC功率器件測試哪方面?碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000

來源:西安天宇微納軟件有限公司   2023年02月08日 11:25  

  SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領域。

  近年來,全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移。目前,我國已經(jīng)成為全球重要的半導體功率器件封測基地。

  目前常用的SiC碳化硅功率半導體器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金屬氧化物半導體場效應管),其中碳化硅mosfet器件屬于單級器件,開通關斷速度較快,對柵極可靠性提出了更高的要求,而由于碳化硅材料的物理特性,導致柵級結構中的柵氧層缺陷數(shù)量較多,致使碳化硅mosfet器件柵極早期失效率相比硅mosfet器件較高,限制了其商業(yè)化發(fā)展。為提高碳化硅mosfet器件柵級工作壽命,需要對碳化硅功率半導體器件進行基于柵極的測試,在將碳化硅功率半導體器件壽命較低的器件篩選出來,提高碳化硅功率半導體器件的使用壽命。

  SiC功率器件的電學性能測試主要包括靜態(tài)、動態(tài)、可靠性、極限能力測試等,其中:

  (1)靜態(tài)測試:通過測試能夠直觀反映 SiC 器件的電學基本性能,可簡單評估器件的性能優(yōu)劣。

  各種靜態(tài)參數(shù)為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)、同時在功率器件檢測維修中發(fā)揮了至關重要的作用。小編推薦一款SiC靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)NSAT-2000,該設備可測試各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的靜態(tài)參數(shù),系統(tǒng)提供與機械手、探針臺、電腦的連接口,可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。

SiC碳化硅功率器件測試哪些方面?碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000

  (2)動態(tài)測試:主要測試 SiC 器件在開通關斷過程中的性能。

  通常我們希望的功率半導體器件的開關速度盡可能得高、開關過程段、損耗小。但是在實際應用中,影響開關特性的參數(shù)有很多,如續(xù)流二極管的反向恢復參數(shù),柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在,所以針對于此類參數(shù)的測試,變得尤為重要。開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準確的測量功率半導體器件的開關性能具有極其重要的意義。小編推薦一款SiC動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)EN-1230A,該設備可測試各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的動態(tài)參數(shù),如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、柵極串聯(lián)等效電阻、雪崩耐量等。

SiC碳化硅功率器件測試哪些方面?碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000

 ?。?)可靠性測試:考量 SiC 器件是否達到應用標準,是商業(yè)化應用的關鍵。

  半導體功率器件廠家在產(chǎn)品定型前都會做一系列的可靠性試驗,以確保產(chǎn)品的長期耐久性能。

 ?。?)極限能力測試:如浪涌電流測試,雪崩能量測試

  浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。

SiC碳化硅功率器件測試哪些方面?碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000

  雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。推薦ENX2020A雪崩能量測試系統(tǒng),能夠準確快速的測試出SiC·二極管、SiC·MOSFET等半導體器件的雪崩耐量。

SiC碳化硅功率器件測試哪些方面?碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000

納米軟件SiC碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000現(xiàn)免費下載試用中,申請地址:搜索納米軟件。

免責聲明

  • 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權或有權使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權使用作品的,應在授權范圍內使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關法律責任。
  • 本網(wǎng)轉載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責,不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負版權等法律責任。
  • 如涉及作品內容、版權等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權利。
企業(yè)未開通此功能
詳詢客服 : 0571-87858618
隆昌县| 二手房| 壶关县| 威信县| 出国| 大英县| 红安县| 余干县| 泗水县| 定襄县| 东兴市| 东乡| 颍上县| 芦山县| 莫力| 玉屏| 兴隆县| 巴彦淖尔市| 定陶县| 夹江县| 黄平县| 武宣县| 彰化市| 定西市| 若羌县| 县级市| 贵德县| 兴和县| 湾仔区| 富平县| 三明市| 宁强县| 天柱县| 萍乡市| 东乡族自治县| 新营市| 福清市| 阳山县| 秦皇岛市| 兰考县| 红原县|